7月14日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，韓國芯片巨頭海力士半導(dǎo)體周三稱，它已經(jīng)同意與日本東芝公司聯(lián)合開發(fā)和生產(chǎn)下一代內(nèi)存芯片。
海力士在聲明中稱，根據(jù)這個(gè)合作協(xié)議，海力士和東芝將聯(lián)合開磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)。與現(xiàn)有的內(nèi)存芯片相比，MRAM內(nèi)存將提高速度和效率。一旦開發(fā)工作完成，這兩家公司將組建一個(gè)合資企業(yè)大批量生產(chǎn)MRAM內(nèi)存。
海力士是僅次于三星電子的全球第二大DRAM內(nèi)存芯片廠商。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商。
這個(gè)合作將把東芝高級的MRAM技術(shù)和海力士有競爭力的成本和內(nèi)存技術(shù)結(jié)合在一起。東芝還是全球第三大半導(dǎo)體廠商，僅次于英特爾和三星。
MRAM芯片預(yù)計(jì)在早期階段將用于移動(dòng)市場并且用于PC和服務(wù)器。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時(shí)通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。