富士通微電子（上海）有限公司今日宣布推出兩款新型消費類FCRAM（*1）存儲器芯片-512 Mb（MB81EDS516545）和256 Mb（MB81EDS256545）。這兩款芯片支持DDR SDRAM接口，是業界首推的將工作溫度范圍擴大至
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如果SiP架構上的片上系統（SoC）整合了新型FCRAM芯片，當SiP工作速度提高導致工作溫度上升時，存儲器也不會對操作造成影響或限制，客戶將從中受益。此外，它還具有其它優勢，如可降低產品設計開發難度，節省電路板空間，并減少元器件數量（詳細信息請參照附件1）。?
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目前，市場對消費類數字產品的性能、速度和開發成本的要求越來越高。為滿足這些需求，就會更多地使用SiP，要求它同時整合帶有SoC的存儲器芯片。使用SiP可以減少元器件數量并節省電路板空間，進而能夠降低系統成本。使用SiP還能簡化高速存儲器開發或采取降噪措施等設計。?
圖1: 存儲器SiP上的散熱設計方案比較：顯示使用新型FCRAM的優越性?
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如圖1所示，迄今為止，使用傳統的存儲器，SiP發揮受限，而使用新型FCRAM產品就可以解決這一問題。圖1(a)介紹的SiP架構上使用的高性能SoC功耗較高，產生的熱量可使SiP溫度上升到105 °C。因為SoC的最高溫度額定為125 °C，所以操作能夠正常進行，但使用傳統的存儲器僅可在最高為95 °C的溫度環境下運行，因此不能使用這一SiP架構。?
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要在SiP上使用傳統的存儲器，另外一種方法是添加類似散熱器等散熱器件。如圖1(b)所示，這一方案可使SiP溫度降低到90°C，器件可以運行，但是增加了成本和電路板占用面積。因此，許多一直在研究SiP的客戶希望擴大存儲器的工作溫度范圍。?
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富士通微電子正是應對這一需求而開發出了最高工作溫度為125 °C 的512 Mb和256 Mb消費類FCRAM產品。如1(c)所示，使用額定為125°C的FCRAM，即使整合一顆高功耗的SoC，SiP也能運行良好，無需添加散熱器。這就解決了使用額定為95 °C的傳統存儲器而需要采取散熱措施而引發的成本增加問題。?
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而且，即使在125°C的環境下運行，這些新型FCRAM產品也可以提供傳統DDR SDRAM存儲器兩倍的數據傳輸率，同時還能保持低功耗。事實上，與傳統的DDR2 SDRAM存儲器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗達50%。所以，這些新型FCRAM可以減少消費類電子產品的存儲器的二氧化碳排放達50%（詳細信息請參照附件2）。?
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富士通微電子將繼續為SiP開發具備必要性能和功能的產品，從而為消費類電子產品提供價值和成本最優的解決方案。?
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樣片提供?
產品? |
產品型號? |
提供時間? |
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512 Mb FCRAM? |
MB81EDS516545? |
2009年5月19日起? |
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256 Mb FCRAM? |
MB81EDS256545? |
2009年5月19日起? |
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銷售目標?
每月共銷售一百萬片?
產品特性?
1. 業界首推在125 °C下運行的芯片?
這些新型FCRAM最高工作溫度為125 °C，與傳統SDRAM存儲器最高85°C或者95°C的溫度規格相比，提高了系統內的允許功耗。因此，可以實現SiP解決方案，而這在以前是不可能的，例如：高性能數字消費類電子產品所需的高功耗SoC若整合了存儲器會導致器件過熱。而且該產品可以使用低成本封裝，無需高溫規格。?
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2. 低功耗?
通過將總線寬擴大至64 bit、減少工作頻率和使用終端電阻（*2），與兩個使用16 bit總線寬的傳統DDR2 SDRAM存儲器芯片相比，新型FCRAM可降低功耗最高達50%。這些新型FCRAM可以減少消費類電子產品的存儲器的二氧化碳排放達50%。?
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3. 高速數據帶寬?
工作溫度是125 °C時，新型FCRAM通過使用64 bit總線寬并在最高工作頻率為200 MHz運行時，可以提供3.2 GB/秒的數據傳輸率，這是傳統的DDR2 SDRAM速度的兩倍。若工作溫度不高于105 °C（≤ 105 °C），在216 MHz的工作頻率下運行時，產品的數據傳輸率將增加到3.46 GB/秒。?
附件?
512 Mb FCRAM和256 Mb FCRAM芯片的主要規格?
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術語和注釋?
*1. 消費類FCRAM：FCRAM（快速循環隨機存儲器）是富士通微電子具有自主知識產權的RAM內核系統，以高速度和低功耗出名。消費類FCRAM是指使用行業標準低功耗SDRAM接口的FCRAM內核，最適宜于消費類電子產品。
*2. 終端電阻：終端電阻是指在電線或信號終端跨接的電阻，用于消除信號反射帶來的干擾，但是其功耗較高。DDR2 SDRAM的終端電阻嵌入到芯片（ODT：片內終結）。
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更多信息，請瀏覽:?
富士通微電子株式會社FCRAM產品網站：http://www.fujitsu.com/global/services/microelectronics/product/memory/fcram/?
關于富士通微電子（上海）有限公司?
富士通微電子（上海）有限公司是富士通在中國的半導體業務總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連等地均設有分公司,負責統籌富士通在中國半導體的銷售、市場及現場技術支持服務。?
富士通微電子（上海）有限公司的產品包括專用集成電路（ASIC）、單片機（MCU）、專用標準產品（ASSP）/片上系統（SoC）和系統存儲芯片,它們是以獨立產品及配套解決方案的形式提供給客戶，并應用于廣泛領域。在技術支持方面，分布于上海、香港及成都的IC設計中心和解決方案設計中心,通過與客戶、設計伙伴、研發資源及其他零部件供應商的溝通、協調，共同開發完整的解決方案，從而形成一個包括中國在內的完整的亞太地區設計、開發及技術支持網絡。欲了解更多信息，請訪問網站：http://cn.fujitsu.com/fmc?
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文中提及的公司名稱和產品名稱是其所有者的商標或者注冊商標。該新聞稿中的信息在發布時是準確無誤的，可能隨時發生變化，恕不先行通知。??
附件?
512 Mb FCRAM-MB81EDS516545的主要規格?
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存儲器架構? |
2M word × 64 bit × 4 banks? | |
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電壓? |
1.7 V ~ 1.9 V? | |
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接口? |
低功耗DDR SDRAM (CMOS)? | |
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工作溫度范圍（結溫）? |
-10 ℃ ~ +125 ℃? | |
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突發工作頻率? |
最高：105 °C? |
216 MHz（最高）? |
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最高：125 °C? |
200 MHz（最高）? | |
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數據傳輸率? |
最高：105 °C? |
3.46 GB/秒（最高）? |
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最高：125 °C? |
3.2 GB/秒（最高）? | |
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256 Mb FCRAM-MB81EDS256545的主要規格?
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存儲器架構? |
1M word × 64 bit × 4 banks? | |
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電壓? |
1.7 V ~ 1.95 V? | |
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接口? |
低功耗DDR SDRAM (CMOS)? | |
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工作溫度范圍（結溫）? |
-10 °C ~ +125 °C? | |
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突發工作頻率? |
最高：105 °C? |
216 MHz（最高）? |
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最高：125 °C? |
200 MHz（最高）? | |
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數據傳輸率? |
最高：105 °C? |
3.46 GB/秒（最高）? |
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最高：125 °C? |
3.2 GB/秒（最高）? | |
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