·??新型 2830 系列寬波段明場晶圓缺陷檢測系統采用 PowerBroadband^TM 技術；有了這種技術，對于 3Xnm 或更小設計規格的器件來說，那些最難以發現的缺陷也就更容易被重復捕捉。?

·??新型 Puma 9500 系列暗場晶圓缺陷檢測系統，其解析度和速度都是其前身的兩倍，允許晶片廠在不損失產能的前提下，支持了晶圓關鍵尺寸的縮小。 ?

·? 新型 eDR-5210 電子束缺陷再檢測和分類系統，為KLA-Tencor 檢測系統的提供了卓越的缺陷影像質量和強大的同KLA-Tencor其他檢測設備的連接能力，可加速及查明缺陷源?

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今日的KLA-Tencor 公司（納斯達克股票代碼 ：KLAC)，是專為半導體及相關產業提供工藝控制與良率管理解決方案的領先提供商，宣布推出兩款新型的晶圓缺陷檢測系統，以及一款新型的電子束再檢測系統，以解決 3Xnm / 2Xnm 節點的缺陷問題。2830 系列明場晶圓檢測平臺采用創新的大功率等離子光源，可以照亮和探測先前因尺寸和位置限制而無法反復探測的缺陷類型。Puma 9500 系列暗場晶圓檢測平臺采用突破性的光學和影像獲取技術，賦予其兩倍于其前身的分辨率和速度，因此新型 Puma 工具可以暗場速度監控更多層和更多的缺陷類型。 eDR-5210 電子束缺陷再檢測和分類系統以第二代浸潤式電磁場技術為特征，以高生產力組合提供卓越的畫質及可操作缺陷分類提供集卓越缺陷影像質量，可采取措施的缺陷分類以及高效產能為一體的組合。 每個新的系統都提供了超越其本身現有技術的實質好處。 此外，新的檢測和再檢測系統可密切協作，優先檢測和報告與良率有關的缺陷，使晶片廠能更加迅速地定位及糾正 3Xnm 和 2Xnm 節點的復雜缺陷問題。 ?

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?KLA-Tencor 晶圓檢測集團副總裁兼總經理 Mike Kirk 博士表示：“盡管目前經濟低迷，其他許多設備公司都在忙著縮減計劃，并延遲推出新平臺，但 KLA-Tencor 仍繼續大力投入開發下一代產品，其中包括針對 3Xnm 和 2Xnm 節點的兩套創新型晶圓缺陷檢測系統和一種獨特的再檢測工具。我們的客戶正在采用復雜的光刻技術、新穎的材料和異乎尋常的結構。他們要處理額外的層和更小的工藝窗口，且對價值高度關注。 為解決這些問題，我們的工程團隊和供應商以及客戶共同合作，針對 2830 系列、Puma 9500 系列和 eDR-5210 系統開發出真正的創新技術，賦予其前所未有的能力。 每款工具讓性能和產能均有大幅提升。每款工具都可靈活用于多種應用領域，在當今的經濟環境下，這無疑會令價值大增。每款工具均專門針對、或源于下一代器件的擴展性而設計，因此晶片廠能夠最充分地重新利用其固定設備投資。 我們深信，這兩款新型檢測及再檢測產品系列的問世，代表著我們所屬產業在缺陷檢測整體管理方面，投資報酬率 (ROI) 大有提高： 更快檢測出偏移問題、更快解決疑難缺陷問題、讓客戶的“次世代晶片”更快上市。」?

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2830 系列、Puma 9550 系列晶圓缺陷檢測系統和 eDR-5210 電子束缺陷再檢測和分類系統由 KLA-Tencor 廣泛的服務網絡提供支持，可確保其高性能和工作效率。有關各產品的更多詳細信息，請參閱隨附的《技術摘要》。?

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技術摘要：2830 系列寬波段明場缺陷檢測系統?

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在 3Xnm/2Xnm 設計規格會有多種多樣的缺陷方面的技術問題，起因首先是，與在較大線寬時相比，影響良率的關鍵缺陷通常更小，且更難捕獲。這些缺陷也更難與諸如圖形邊緣粗糙度或色差等自然差異區分開來，而這些自然差異屬于會影響根源分析的海量“非關鍵”缺陷。晶圓上的系統缺陷，即在晶圓上同一位置，或在同一圖案類型內反復印刷的那些缺陷，會隨著設計規格的縮小而普遍增加，這將對良率造成嚴重影響。3Xnm/2Xnm 節點的新型成形圖技術和結構需要晶片廠對新材料和額外的工藝層進行檢測。 ?

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新型 2830 系列明場檢測平臺采用 PowerBroadband^TM，這是一種獨特的高亮度光源，其設計可實現更多重復捕獲難以發現的缺陷，加快檢測速度，并更好地區分關鍵缺陷和非關鍵缺陷。 此外，由于裝備了一種新型的影像獲取系統，2830 系列的數據速率是其前身 2810 系列的兩倍，能夠在以生產需要的速度顯著增強檢測能力。 ?

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·?激光放大式等離子光源可在從深紫外光到可見光的每個波長提供更多的光，從而實現了能夠顯著提高分辨率、對比度和工藝層穿透控制的新型光學模式。?

·??波長和光學模式的新型組合設計能夠捕捉迄今為止范圍最廣泛的缺陷類型，其中包括最具挑戰性的 3Xnm/2Xnm 節點的缺陷： 微橋 (micro-bridge) 和納米橋 (nano-bridge)、底橋 (bottom bridge)、凸起和微小空隙。 ?

·??新型光學模式，包括獨有的 Broadband Directional E-Field^TM 技術在內，可提供頂層識別功能，這對捕捉諸如STI*、柵極蝕刻、epi*、接觸孔 (Contact/via)、銅 CMP* 和 ADI* 等設備器件層上的缺陷特別有價值。 ?

·??PowerBroadband 和新型高速影像獲取系統提供了現今市場上速度最快的明場微缺陷檢測系統。工程師可利用此超高速度，在生產中實現更高靈敏度的操作，更密集地抽驗晶圓，以進行更嚴格的工藝控制，或支持產能擴展。?

·??我們最近針對 28XX 系列系統推出了新的 XP 選項升級包，它采用標準的集成電路 (IC) 設計布局文件，可協助改善與良率相關的缺陷捕捉，并能識別可能表示光罩設計中邊臨近極限的特征的系統缺陷。XP 選項還可以加快檢測程式創建與優化，提高檢測系統儀的產能。?

·?2830 系列可作為一整套系統提供，也將可作為升級提供，我們廣泛裝設的 281X 或 282X 檢測系統中的任何一款均可升級，這種選項設計讓晶片廠能夠以具有成本效益的方式，將其資本投資延伸至 3Xnm 和 2Xnm 節點。?

·?如想取得2830 系列檢測系統的更多詳細資訊，請參看產品網頁：http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/283x-series.html. ?http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/283x-series.html。?

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技術摘要：Puma 9500 系列暗場缺陷檢測系統?

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即使采用尖端技術，明場缺陷檢測系統也難以用來對每個設備工藝層提供最佳檢測。激光成像暗場檢測系統可在大幅提高的產能下運轉作，且其提供的缺陷捕捉捉率對于許多應用領域（通常為薄膜、蝕刻和 CMP）而言已是綽綽有余。由于可在更高產能下工運作，其工藝的取樣可以更加頻繁，因此能夠在損失額外晶圓之前找出缺陷偏移，并采取補救措施。新產品上市時間和良率對客戶的盈利能力至關重要。因此，在戰策略上，晶片廠有必要結合使用明場和暗場檢測系統，讓晶片廠對檢測設備的投資實現最佳回報。?

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Puma 9500 系列暗場檢測平臺采用了突破性使能技術，即獨特的高數值孔徑 (NA*) 收集光學系統。該系統集合了更大功率的激光、實際數值孔徑、一種新型的影像獲取系統和創新算法，這些技術讓暗場檢測平臺的產能敏感度大大提高，超過上一代檢測工具 30% 以上。此項重大進步旨在讓我們的客戶能夠步入具備更高靈敏度的操運作能力，在不損失產能的前提下支持滿足關鍵尺寸的縮小的需求。此外，Puma 9500 還可以將其增強的高靈敏度及高產能應用于檢測新額外的工藝層，捕捉捉更小缺陷，其速度優勢可幫助晶片廠盡快達到最先進器件生產的良率目標。?

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·???????????? 新的光學與影像獲取技術相結合，再加上訊號處理架構的改變，可產生兩倍于上世一代 Puma 系列的解析度；讓該系統在檢測期間不僅能從總體缺陷群中更好地過濾出非關鍵缺陷，還能顯著增強影圖像對比度。 ?

·???????????? 改善分辨率、非關鍵缺陷抑制和圖像對比度工作，讓 Puma 9500 能夠更好地捕捉極細小的微粒和圖案缺陷，例如線開口與線變細、微橋 (micro-bridge) 與納米橋 (nano-bridge)，以及在 ≤3Xnm 設計節點器件設備上產生的諸如多晶層中的凸起和傾倒問題。?

·???????????? 由于 Puma 9500 系列平臺的檢測速度比以前的 Puma 系列快一倍，因此它可以更快速地抽取樣，以實現更嚴格的工藝控制或在生產過程中實現更高靈敏度的操運作。?

·???????????? 如想取得9500 系列檢測系統的更多詳細資訊，請參看產品網頁:http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/puma95xxseries.html. http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/puma95xxseries.html。?

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技術摘要： eDR-5210 電子束缺陷再檢測和分類系統?

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當前，光學圖像的最小缺陷尺度已精確到單個像素，電子束再檢測對檢測缺陷是必不可少的 – 反過來說，這對判斷缺陷源及糾正此等問題也是至關重要。 電子束再檢測工具的有效缺陷分類，必須要能擷取高質圖像，然后對其進行可靠且有效的缺陷重新檢測¹。 基于電子束圖像的分類算法受益于有關缺陷的補充資訊，如元素分析，檢測工具提供的相應光學圖像，以及缺陷所處的模式環境。 整個過程的自動化可增強可靠性，加快認識問題的時間。 ?

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eDR-5210 電子束缺陷再檢測和分類系統支持多種技術和架構的改進，旨在提升設備的解析度、再檢測率、分類精確度和生產力。 作為再檢測設備，附加了與KLA – Tencor 檢測系統進階連接能力，提高與良率相關的缺陷數據結果，并提高檢測再檢測解決方案的整體生產力。?

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·???????????? 第二代浸潤式電磁場技術，自上而下同步高解析度成像、高解析度的拓撲成像，帶來超卓畫質。 ?

·???????????? 設計感知能力² 以標準IC 設計布局檔案（定義晶片圖樣的說明指引）的資訊來補充缺陷數據——以便更快地識別嚴重影響良率的系統缺陷問題。?

·???????????? 設計感知能力，從KLA – Tencor 檢測系統中取得的專有光學圖像與現場SEM* 圖像，引導更快地對3Xnm 和2Xnm 節點的關鍵制圖問題有一個根源性的了解。?

·???????????? 裸晶圓和無圖形薄膜晶圓的自動再檢測解決方案，透過利用可靠的多點晶片對準技術，螺旋搜尋算法和自動元素分析后，對最微小的缺陷都能提供顯著增強的重新檢測與分類。?

·???????????? 想要取得有關eDR-5210 電子束缺陷再檢測和分類系統的更多詳情，請參看產品網頁： ?http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/eDR-5210.html。http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/eDR-5210.html.?

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*縮略詞：?

STI = 淺溝糟隔離?

Epi = 外延(epitaxial)硅?

CMP = 化學機械研磨拋光?

ADI = 顯影后檢測?

NA = 數值孔徑?

SEM = 掃瞄式電子顯微鏡?

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注：?

1. 使用“重新檢測”一詞是指出這樣一個事實，一旦晶圓從檢測系統轉移到再檢測系統時，缺陷必須再次定位。?

2. 當eDR-5210 配合KLA-Tencor 檢測系統使用時可提供該功能，支持XP 選項[鏈接： http://www.kla-tencor.com/patterned-wafer/xp.html] ?

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關于 KLA-Tencor：? ?

KLA-Tencor 公司 （納斯達克股票代碼：KLAC）是工藝控制與良率管理解決方案的領先提供商，它與全球客戶合作，開發先進的檢測與度量技術。 這些技術為半導體、資料儲存、化合物半導體、光電及其他相關奈米電子產業提供服務。公司擁有廣泛的業界標準產品系列及世界一流的工程師與科學家團隊，三十余年來為客戶努力打造優秀的解決方案。KLA-Tencor 的總部設在美國加利福尼亞州 Milpitas，并在全球各地設有專屬的客戶運營與服務中心。?? 如需獲取更多詳情，可訪問本公司網站：www.kla-tencor.com。(KLAC-P)?

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前瞻性聲明：?

本新聞稿中除歷史事實以外的聲明，例如關于向 3Xnm 與 2Xnm 臨界線寬的預期技術轉移，解決有關此預期轉移挑戰的 2830 系列、Puma 9500 系列或 eDR-5210 晶片檢測系統的能力，這些工具的性能標準，針對或源于其他產品或我們工具的升級能力的新工具的可擴展性，以及客戶投資回報的預期改善，或加快上市速度的能力等陳述，均為前瞻性聲明，并受到《1995 年美國私人證券訴訟改革法案》(Private Securities Litigation Reform Act of 1995) 規定的“安全港”(Safe Harbor) 條款的制約。由于各種因素，包括因未曾預料的成本或性能問題而導致延遲采用新技術，我們持續不懈的內部開發工作取得成功，以及我們的客戶采取可能影響其投資回報或上市時間的業務與運營措施等，實際結果可能與此類聲明中的預期結果實質不同。?

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圖片/多媒體庫可從以下網址獲得 : http://www.businesswire.com/cgi-bin/mmg.cgi?eid=6005577&lang=en?

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