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Vishay Siliconix 推出符合DrMOS®規定的新款器件

2010-02-23
作者:Vishay
關鍵詞: 二極管 IC MOSFET PWM Vishay

  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出集成的DrMOS解決方案 --- SiC762CD。在緊湊的PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝內,該器件集成了對PWM信號優化的高邊和低邊N溝道MOSFET、完整功能的MOSFET驅動IC,以及陰極輸出二極管。新的SiC762CD完全符合DrMOS®規定的服務器、PC、圖形卡、工作站、游戲機和其他高功率CPU系統中電壓調節器(VR)標準。該器件的工作頻率超過1MHz,效率高達92%。
  SiC762CD的輸入電壓為3V~27V,可以提供高達35A的連續輸出電流。集成的功率MOSFET針對0.8V~2.0V的輸出電壓進行了優化,標稱輸入電壓為24V。在5V輸出時,SiC762CD還可以為ASIC應用提供非常高的功率。
  SiC762CD先進的柵極驅動IC接收來自VR控制器的單個PWM輸入,然后把輸入信號轉換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅動信號。PWM輸入與所有控制器兼容,而且特別支持帶有三態PWM輸出功能的控制器。
  器件的驅動IC具有能自動檢測輕負載條件的電路,可以自動開啟跳頻模式工作(SMOD),使系統在輕負載條件下也能獲得高效率。自適應的死區時間控制能夠進一步提高效率。保護功能包括欠壓鎖定、擊穿保護,熱報警功能可在結溫過高時向系統告警。
  通過集成驅動IC和功率MOSFET,SiC762CD減少了功率損耗和與高頻分立功率級相關的寄生阻抗效應。設計者可以采用高頻開關以改善瞬態響應,節省輸出濾波器的成本,在多相Vcore應用中實現盡可能高的效率密度。
  器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定,符合RoHS指令2002/95/EC。
  SiC72CD現可提供樣品,將于2010年第一季度量產,大宗訂貨的供貨周期為十二周至十六周。
VISHAY簡介
  Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業”,是全球分立半導體(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫療市場的各種類型的電子設備。憑借產品創新、成功的收購戰略,以及“一站式”服務使 Vishay 成為了全球業界領先者。有關 Vishay 的詳細信息,敬請瀏覽網站 www.vishay.com。
 

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