FPGA兩大巨頭Xilinx和Altera在28nm工藝節(jié)點分別采用了臺積電不同的工藝技術，在接下來的20nm和16nm/14nm卻采用了不同的策略。Altera搭上了Intel 14nm工藝的戰(zhàn)車，并與Intel簽訂排他性協議（http://blog.chinaaet.com/detail/31993）。

Intel 14nm工藝有何過人之處？日本同行PCWatch近日對Intel新工藝做了一番解析，并和其他廠商、其他工藝的正面對比，更加凸顯了世界第一芯片巨頭的強悍。

Intel 14nm工藝 PK 臺積電16nm、三星/Global Foundries 14nm

Intel 22nm工藝已經率先使用了3D立體晶體管，14nm上將進化到第二代，其他廠商則會陸續(xù)上馬類似的FinFET，包括臺積電16nm、三星/Global Foundries 14nm。

來看看幾個工藝的間距數據：

相比之下，臺積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，前者只相當于Intel 22nm的水平，后者也略弱一些，而內部互聯最小間距則都是64nm，相比于Intel大了23％。

這些間距越小，就可以把晶體管做得更小、更密，對于電路集成度、芯片性能的重要性不言而喻

Intel曾經自己高調宣揚過，整個世界也都承認，無與倫比的先進制造工藝是這家芯片巨頭永遠令人眼紅的優(yōu)勢。14nm工藝雖然從年初拖到了年底，但到時候仍然是這個地球上最先進的。其他半導體企業(yè)紛紛減緩腳步或者合縱連橫的同時，Intel仍在堅持獨行，仍在引領世界。

Intel 14nm工藝的發(fā)展進程和技術優(yōu)勢

 隨著Broadwell-Y CoreM系列初步揭開面紗，Intel也公布了14nm工藝的大量相關資料，介紹了它的發(fā)展情況和技術優(yōu)勢。

簡單地說：

1、Intel 14nm工藝已經通過各項驗證，并在美國俄勒岡、亞利桑那工廠投入了量產，明年還會加入愛爾蘭工廠。

2、它使用了第二代Tri-Gate(FinFET)立體晶體管技術，擁有業(yè)界領先的晶體管性能、功耗、密度和成本。

3、Broadwell家族將首先采用14nm工藝制造，其后陸續(xù)擴展到Intel各條處理器產品線。

4、Intel 14nm不但自己用，還會為很多客戶代工大量產品，從高性能到低功耗均可(已拿下Altera、松下)。

事實上，14nm也是迄今為止Intel面臨的最艱難的挑戰(zhàn)，Intel對此也是很坦誠，并沒有遮遮掩掩。根據官方數據，14nm工藝良品率初期低得要命，直到今年第二季度末才達到量產標準，預計2015年第一季度才能追上22nm的水 平，后者迄今仍是Intel良品率最高的工藝。

也只有到了2015年上半年，14nm的良品率、產能兩個關鍵指標才能都滿足多條產品線的需求。這也正是Broadwell為什么首發(fā)只有一個超低壓版的CoreM系列，更多產品明年才會發(fā)布的根本原因。

下邊繼續(xù)跟隨Intel的幻燈片，一起看看14nm工藝的神氣，尤其是和現有的22nm好好對比對比。

22nm上率先引入了Tri-Gate三柵極立體晶體管技術，堪稱半導體歷史上的一次革命。雖然帶來了晶體管密度等方面的一些問題，導致核心面積過小、發(fā)熱密度升高，但仍然是大勢所趨，其他廠商紛紛引入，不過在名字上都叫做FinFET，異曲同工。

晶體管鰭片是最能反應該技術進步的地方。鰭片高度從34nm增至42nm(進步比例24％)，更高更薄可以改善驅動電流、性能；間距從60nm縮小到42nm(進步比例30％)，可以提高集成密度；整體所需鰭片數量減少，可以改進集成密度、降低電容。

另外，晶體管柵極間距、互聯間距也分別縮小到了70nm、52nm，進步比例為22％、35％。

 鰭片外圍覆蓋著的(黃色)就是金屬柵極。

 層連最小間距也從80nm來到了52nm(進步比例35％)。

SRAM存儲單元的面積，上代是0.108平方微米，現在僅為0.0588平方微米，進步比例達46％，幾乎縮小了一半。

第一頁就可以看出，Intel的14nm工藝非常領先，拿幾百億美元砸出來的技術就是非同凡響！臺積電16nm只相當于Intel 22nm的水平。

也就是說，采用Intel 14nm工藝的Stratix 10，不僅領先Xilinx剛剛推出的20nm的UltraScale系列產品，而且領先下一代的16nm工藝。

結論：Stratix 10領先了UltraScale系列3代！  其實就是Stratix 12，所以速度的單位是GHz。