IR 新型25V DirectFET 芯片組為高頻率 DC-DC 開關應用帶來業界領先效率
2010-04-14
作者：IR
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開關應用而優化的解決方案。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“IR 通過改善關鍵參數不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導通電阻 (RDS(on)) 與業界最低的柵極電阻 (Rg) 相結合，使傳統上由典型同步降壓轉換器的同步和控制接口產生的傳導損耗和開關損耗降到了最低。”
IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 mΩ 的導通電阻，使整個負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關的損耗，并能實現反向恢復損耗，進一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 mΩ 的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關的擊穿。
IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關損耗及傳導損耗，還可為快速開關提供極低的柵極電阻。
產品基本規格
|
器件編號 |
BVDSS (V) |
10V 下 的典型 導通 電阻(mΩ) |
4.5V 下 的典型 導通 電阻(mΩ) |
VGS (V) |
TA 為 25ºC時 的ID(A) |
典型 QG (nC) |
典型 QGD (nC) |
外形 代碼 |
|
IRF6798MPBF |
25 |
0.915 |
1.6 |
+/-20 |
37 |
50 |
16 |
MX |
|
IRF6706S2PBF |
25 |
3.2 |
5.3 |
+/-20 |
17 |
12 |
4.2 |
S1 |
有關產品現正接受批量訂單。這些新器件的數據表和應用說明已刊登于IR的網站www.irf.com。
IR簡介
國際整流器公司 (簡稱IR，紐約證交所代號IRF) 是全球功率半導體和管理方案領導廠商。IR的模擬及混合信號集成電路、先進電路器件、集成功率系統和器件廣泛應用于驅動高性能計算設備及降低電機的能耗 (電機是全球最大耗能設備) ，是眾多國際知名廠商開發下一代計算機、節能電器、照明設備、汽車、衛星系統、宇航及國防系統的電源管理基準。
IR成立于1947年，總部設在美國洛杉磯，在二十個國家設有辦事處。IR全球網站：www.irf.com，中國網站：www.irf.com.cn。