日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布3顆新的600V EF系列快恢復二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件具有低反向恢復電荷和導通電阻，在工業、電信、計算和可再生能源應用中可提高可靠性，并且節能。

　　今天推出的這些600V快恢復二極管MOSFET采用第二代超級結技術制造，充實了Vishay現有的標準E系列器件，使公司有更多的器件可用于類似移相全橋和LLC半橋的零電壓開關(ZVA)/軟開關拓撲。
　　在這些應用里，SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF具有反向恢復電荷(Qrr)比標準MOSFET低十倍的優勢，提高了可靠性。這些器件因此能夠更快地防止電壓擊穿，有助于避免直通擊穿和熱擊穿。
　　21A SiHx21N60EF有四種封裝，47A SiHx47N60EF和70A SiHx70N60EF各有兩種封裝。器件分別具有176mΩ、65mΩ和38mΩ的超低導通電阻和低柵極電荷。這意味著在太陽能逆變器、服務器和通信電源、ATX/Silver box計算機開關電源、焊接設備、UPS、電池充電器和半導體生產設備中的高功率、高頻開關應用里，可實現極低的導通和開關損耗。
　　這些器件能夠承受雪崩和換流模式里的高能脈沖，保證通過100%的UIS測試。這些MOSFET符合RoHS，無鹵素。
　　器件規格表：

　　新的EF系列MOSFET現可提供樣品，將在2015年2季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十八周到二十周。
　　VISHAY簡介
　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業”，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業、計算、汽車、消費、電信、國防、航空航天、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。