2015年7月22日，日本東京訊——全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723）今日推出了兩個全新的超低功耗SRAM（超LP SRAM）系列——低功耗SRAM領域的領先產品，能夠為工廠自動化（FA）、工業設備、智能電網等應用提供更出色的可靠性并延長備用電池的使用壽命。全新的16Mb RMLV1616A系列和32 Mb RMWV3216A系列采用110納米制造工藝，融合了創新的存儲單元技術，不僅大幅提升了可靠性，同時也有助于延長電池的工作時間。

       近來，業內對用戶系統安全性和可靠性的要求日漸提高，而SRAM作為存儲系統程序和財務交易數據等重要信息的載體，必須具備高水平的可靠性。因此，如何減少因阿爾法輻射和宇宙中子輻射造成的軟失效（注釋1）成為了一項重點課題。通常情況下，解決這一問題的處理方式是在SRAM或用戶系統中加入內部糾錯（ECC）電路。但ECC電路的糾錯能力具有一定的局限性，例如：可能無法同時糾正多個位元的錯誤。

瑞薩的超LP SRAM的存儲器單元采用其獨有技術，抗軟失效能力（注釋2）是傳統全CMOS型存儲單元（注釋3）的500多倍，使其成為了對可靠性具有高要求的應用領域的理想之選，包括工廠自動化、測量設備、智能電網相關設備、工業設備以及消費電子設備、辦公設備和通訊設備等諸多其他應用領域。

全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的主要特點如下：

· (1) 采用瑞薩獨有的超LP SRAM技術，大幅提升了抗軟失效能力，實現了更良好的可靠性

       在瑞薩超LP SRAM的結構方面，存儲單元中的每個存儲節點（注釋5）都結合了堆疊電容（注釋4）技術，從根本上預防了軟失效的出現（注釋6）。此外，每個SRAM單元的負載晶體管（P溝道）為多晶硅薄膜晶體管（TFT）（注釋7），堆疊于硅基板的N溝道MOS晶體管之上。在硅基板下方僅形成N溝道晶體管，這樣可確保存儲區內不形成寄生晶閘管，并從理論上杜絕閂鎖效應（注釋8）。因此，對于需要嚴格保證高水平可靠性的應用環境（如：工廠自動化、測量設備、智能電網相關設備、交通系統、工業設備等）而言，超LP SRAM可謂理想之選。

· (2) 待機電流比上一代產品降低了50%以上，有助于延長備用電池使用壽命

       全新RMLV1616A系列和RMWV3216A系列16 Mb產品的待機電流僅為0.5 μA（典型值），32 Mb產品（注釋9）的待機電流僅為1 μA（典型值）。新產品的電流消耗水平比瑞薩先前推出的同類SRAM產品（注釋10）降低了50%以上，有效延長了備用電池的使用壽命。保存數據時的最低電源電壓為1.5 V，低于先前瑞薩同類產品的2.0 V。

· (3) 封裝選項

       16 Mb RMLV1616A系列提供三個封裝選項：48球FBGA、48管腳TSOP(I)及52管腳μTSOP (II)，客戶可根據自身的應用需求來選擇最適合的封裝方案。32 Mb RMWV3216A系列提供48球引腳的FBGA封裝。

定價和供貨

       RMLV1616A系列和RMWV3216A系列的樣品將于9月發布，定價根據存儲容量而有所不同。例如，16 Mb RMLV1616A系列的單價為16.5美元，32 Mb RMWV3216A系列的單價為31美元。上述兩個系列的量產預計將于2015年10月啟動。采用110納米工藝的4 Mb和8 Mb超LP SRAM產品已經開始量產。

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· （注釋1）軟失效：

       指在硅基板被外部阿爾法輻射或中子輻射擊中時生成電荷，造成存儲數據丟失的現象。相比可重現的半導體元件物理故障等硬錯誤，軟失效具有不可重現性，僅需讓系統重寫數據即可修復。一般來說，制造工藝越精密，軟失效的出現率會越高。

· （注釋2）根據瑞薩進行的系統軟失效評估結果。

· （注釋3）全CMOS型存儲單元：

       由同一硅基板表面上共計六個P通道MOS晶體管和N通道MOS晶體管所構成的SRAM存儲單元結構。其表面積較大，存在閂鎖風險。

· （注釋4）堆疊電容：

       具有兩個由多晶硅或金屬構成的電極的電容器。此類電容器構成于硅基板上MOS晶體管的上層。

· （注釋5）存儲節點：

       每個存儲單元內以“高”或“低”電勢形式存儲信息位的觸發器電路節點。

· （注釋6）瑞薩已在其網站上發布了針對采用超LP SRAM系統的軟失效評估結果。整個評估過程歷時一年多，并在與一般用戶使用環境相似的條件下進行，最終結果表明不存在軟失效。

· （注釋7）薄膜晶體管（TFT）：

       使用薄膜多晶硅構成的晶體管。此元件可用作SRAM負載晶體管，構成于硅基板上MOS晶體管的最上層，可有效減少存儲單元的面積。

· （注釋8）閂鎖效應：

       指CMOS晶體管的電位阱、硅基板、P型擴散層和N型擴散層所形成的NPN或PNP結構（寄生雙極性晶體管）因電源或輸入引腳過電壓而進入開啟狀態，從而造成大電流在電源和接地之間流動的現象。

· （注釋9）在3.0 V電源電壓和25°C環境溫度下得出的參考值。

· （注釋10）R1LV1616R系列和R1WV3216R系列，采用了150 nm工藝。

關于瑞薩電子株式會社

       瑞薩電子株式會社（TSE：6723），是全球首屈一指的微控制器供應商和高級半導體解決方案的首選供應商，產品包括微控制器、SoC解決方案和各 種模擬與功率器件。2010年4月，NEC電子公司（TSE：6723）和株式會社瑞薩科技合并成立了瑞薩電子株式會社，公司業務覆蓋了面向各種應用的研究、開發、設計與制造。瑞薩電子株式會社總部設在日本，在全球20多個國家均設有分公司。