信息化是當今世界經濟和社會發(fā)展大勢，也是實現(xiàn)國家現(xiàn)代化和經濟轉型升級的關鍵環(huán)節(jié)。習近平總書記高度重視我國信息化發(fā)展，在中央網絡安全和信息化領導小組第一次會議上做出了“沒有信息化就沒有現(xiàn)代化”的重要論斷。《國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》的發(fā)布，進一步凸顯了我國建設網絡強國、占據(jù)信息化制高點的強大決心。綱要明確提出大力增強信息化發(fā)展能力，把發(fā)展核心技術，做強信息產業(yè)發(fā)在了首要位置。
信息技術和產業(yè)發(fā)展程度決定著信息化發(fā)展水平，我國正處在從“跟跑并跑”向“并跑領跑”轉變的關鍵時期，要抓住自主創(chuàng)新的牛鼻子，構建安全可控的信息技術體系，培育形成具有國際競爭力的產業(yè)生態(tài)，把發(fā)展的主動權牢牢掌握在自己手里。半導體是信息產業(yè)的基礎，而存儲作為半導體產業(yè)的重要組成部分，是當前核心技術領域的競爭焦點。
一、目前信息產業(yè)存儲領域存在的問題
在國際信息存儲芯片的產業(yè)格局中，我國扮演的角色一直十分尷尬。作為世界上最大的存儲芯片消費國,我國自主設計并制造的存儲芯片在全球消費市場的占比僅有2%，在高端存儲芯片制造方面占比基本為零。我國擁有全世界最大的PC端和移動終端消費市場，在全球半導體消費市場的占比近60%，但2014年進口存儲芯片高達400億美元，占中國進口芯片總規(guī)模的23.7%。
這樣尷尬的角色不僅嚴重制約著我國經濟健康發(fā)展和產業(yè)升級,更嚴重影響了國家信息安全。2013年“棱鏡門”事件披露后，世界各國都高度重視信息安全，而實現(xiàn)存儲芯片的自主設計與制造則是從根本上保證國家信息安全的關鍵一步。為了擺脫高端存儲芯片完全依賴進口的被動局面，將我國的“金銀財寶”存在自己制造的可靠的“保險箱”中，發(fā)展國內自主設計并制造的高端存儲芯片顯得十分必要和緊迫。
二、存儲領域一次歷史性機遇--磁旋存儲
半導體產業(yè)技術研發(fā)投入大，周期長，在已經占據(jù)龐大應用市場，具備成熟工藝流程和產品的傳統(tǒng)存儲領域，我國很難能在短期內打破既定格局。而近期剛剛興起的新型高端存儲器領域，則為我國擺脫高端存儲芯片完全依賴進口的被動局面,快速掌握和突破存儲領域核心技術提供了一次歷史性機遇。
磁旋存儲芯片（STT-MRAM)是一種新型的非易失性存儲器。其讀寫速度快，擦寫次數(shù)接近無限次。在性能上STT-MRAM可媲美DRAM和SRAM，遠遠超過FLASH，同時還具備低功耗；非易失性，即斷電后不丟失數(shù)據(jù)；抗輻射、耐高溫性能卓越，能夠在惡劣環(huán)境下可靠工作等一系列優(yōu)勢。
STT-MRAM不僅可以在現(xiàn)有物聯(lián)網的各種終端設備中找到適用場景，還能夠利用其高速讀寫和高可靠性，推動物聯(lián)網終端向更高速更智能的方向發(fā)展。同時，利用STT-MRAM作為計算存儲層的新型存儲器，能夠填補從高速緩存到內存的非易失存儲空白，解決計算機系統(tǒng)結構中的“內存墻”難題，大大提升CPU計算處理效率；STT-MRAM的抗輻射，耐高溫和高耐磨壽命等特性，也為其在航天航空、汽車電子、醫(yī)療電子等惡劣環(huán)境領域的應用開拓了廣闊的空間，對我國在許多特殊領域實現(xiàn)從存儲器底層保障信息安全，降低甚至完全擺脫對國外高端高可靠存儲器的依賴有重要意義。
三、抓住機遇，實現(xiàn)存儲領域“彎道超車”
當前，傳統(tǒng)存儲器行業(yè)已被三星、海力士、美光等巨頭把持，其他廠商毫無進入的機會。在STT-MRAM領域，盡管國際巨頭實力雄厚，特別是東芝、三星掌握較多專利，但由于STT-MRAM器件是近年來新興的存儲技術,有跨學科性和多維發(fā)展趨勢，我們還有較多的機會發(fā)展自身的專利儲備，并和其他廠商形成交叉授權，具有彎道超車的機會。到目前為止，真正消費級的MRAM產品還未大規(guī)模推出，為各種規(guī)格產品進行綜合優(yōu)化的生產技術和芯片架構尚未成熟，相關的國際標準也在形成之中,正是我國企業(yè)進入的最佳時機。
習近平總書記指出：企業(yè)是科技和經濟緊密結合的重要力量，應該成為技術創(chuàng)新決策、研發(fā)投入、科研組織、成果轉化的主體。作為從事信息存儲產業(yè)50多年的“國家隊”，中電海康始終堅持企業(yè)的創(chuàng)新主體地位，定位“安全、存儲、智慧”，積極進取，發(fā)揮國家隊龍頭引領作用，努力在高端高性能存儲領域實現(xiàn)突破。近幾年來，我們對STT-MRAM、PCRAM（相變存儲器）、RRAM（阻變存儲器）等新一代存儲芯片技術進行了系統(tǒng)和細致的調研，最終選定STT-MRAM作為新一代存儲芯片技術的主要突破方向，組建了國際一流技術和創(chuàng)新能力的研發(fā)團隊，啟動了研發(fā)中試線建設，有望在存儲領域率先突破核心技術攻關，實現(xiàn)“彎道超車”。
四、構建自主可控安全基石,落實信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要
當前和今后一個時期，是我國實現(xiàn)“兩個一百年”奮斗目標，實現(xiàn)中華民族偉大復興的關鍵時期。我國在工業(yè)革命時期，未能抓住與世界同進步的歷史機遇，逐步落到了被動挨打的境地。而目前席卷全球的信息革命，讓我們又來到了一個歷史的關鍵點，我們必須牢牢把握這次機會，這是我們這一代人的歷史責任。
通過華為海思等的發(fā)展歷程，我們看到了半導體基礎產業(yè)在我國崛起的希望和巨大的市場需求。中電海康將按照國家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要指出的路線圖,牢牢把握住存儲領域歷史性機遇，發(fā)揮自身特色，不斷創(chuàng)新，以十年磨一劍的心態(tài)，認真做好基礎技術的研發(fā)，突破核心技術，通過產學研合作，研究和產業(yè)化STT-MRAM存儲器，制造完全自主可控的中國存儲芯片，打通存儲領域產業(yè)鏈,致力于發(fā)展核心技術，做強信息產業(yè)，為國家的信息安全提供自主可控的安全基石。