Q3是一個PNP型開關,此開關控制另一PNP型開關Q4,Q5是另一NPN型開關,與本文無關。
實驗是想研究Q3偏置電阻對Q4導通情況的影響。電路的設計需求是Q3導通Q4截止,反之亦然。然而可能在Q3導通而VCE較大時,Q4也隨之導通。這種情況在Q3負載電容R29固定時,往往是由R27取特定范圍值導致的。在PSpice中做個DC掃描,R27從100k變化到10M,結果發現Q3確實不用完全關斷Q4就導通了,而且R29的電流不會降低太多,也就是R29的分壓沒降低多少Q4即可導通,此時Q3對R29分壓影響迅速降低,Q4開始保持R29的分壓。這個電路的問題在于Q3對Q4的開關界限不夠明顯,在R27取值合適的情況下,比如要么小于2M要么大于3M,電路沒有問題,否則會導致之前所擔憂的情況。
嘗試在Q3與Q4之間增加一個二極管,以增加Q4導通的門檻。結果發現有一點點用,但是這個二極管的壓降還很小,對開關性能的改善不大。無論把這個二極管換成數個二極管的串聯,還是換成穩壓管,漏電流都是個問題,足以造成Q4的弱導通,這里就不上圖了。下一步考慮MOS管。
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圖2
圖3
圖4
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