場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據(jù)場效應(yīng)管兩大類型--結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管可構(gòu)成相應(yīng)的場效應(yīng)管放大器。以下以結(jié)型管為例給出三種基本組態(tài)放大器的等效電路和性能指標(biāo)計算表達(dá)式，見表5.2-7。圖為場效應(yīng)管具有與晶體管類似的正向受控作用，它也可構(gòu)成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。

1、偏置電路

因為不同類型的場效應(yīng)管工作在放大區(qū)，要求柵極電壓極性不同，例如，結(jié)型場效應(yīng)管要求柵源與漏源電壓極性相反，而增加型MOS管則要求柵源與漏源電壓極性相同，至于耗盡型MOS管的柵偏壓極性，可以正偏、零偏或負(fù)偏。根據(jù)這些特點，來用單電源的偏置電路主要有以下兩種：

（1）自偏壓電路 自偏壓用于結(jié)型和耗盡型MOS管放大電路，圖5.2-6示出N溝道結(jié)型場效應(yīng)管自偏電路。

圖5.2-6  自偏壓電路

柵源電壓為UGS=RID

（2）混合偏置電路 混合偏置電路用于各種場效應(yīng)管放大器。N溝道增強(qiáng)型MOS管放大電路混合偏置電路如圖5.2-7所示。

圖5.2-7  混合偏壓電路

柵源電壓為        

2、場效應(yīng)晶體管三種基本組態(tài)放大器的等效電路與性能指標(biāo)計算公式（見表5.2-7）