超級(jí)結(jié)器件具有業(yè)內(nèi)最低的RDS(ON)*Qg FOM，可用于通信、工業(yè)和企業(yè)應(yīng)用

　　賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級(jí)電源提供了高效率的解決方案。這顆器件具有業(yè)內(nèi)最低的優(yōu)值系數(shù) (FOM 即柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積)，該參數(shù)是600V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的關(guān)鍵指標(biāo)。

　　“我們承諾為客戶提供支持所有功率轉(zhuǎn)換過(guò)程的各種MOSFET技術(shù)，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種最新的電子系統(tǒng)”，Vishay市場(chǎng)發(fā)展部高級(jí)總監(jiān)David Grey說(shuō)到，“有了SiHP065N60E和即將發(fā)布的第四代600V E系列產(chǎn)品，我們就可以在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)架構(gòu)的初期就實(shí)現(xiàn)提高效率和功率密度的目標(biāo)，包括功率因數(shù)校正和隨后的高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器磚式電源。”

　　SiHP065N60E采用Vishay最新的高能效E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，在10V下的最大導(dǎo)通電阻為0.065Ω，柵極電荷低至49nC。器件的FOM為2.8Ω*nC，比同類最接近的MOSFET低25%。SiHP065N60E的有效輸出電容Co(er)和Co(tr)分別只有93pf和593pF，可改善開(kāi)關(guān)性能。在通信、工業(yè)和企業(yè)電源系統(tǒng)的功率因數(shù)校正和硬開(kāi)關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲校@些性能參數(shù)意味著更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。

　　今天發(fā)布的器件采用TO-220AB封裝，符合RoHS，無(wú)鹵素，可承受雪崩模式中的過(guò)壓瞬變，而且保證限值通過(guò)了100% UIS測(cè)試。

　　SiHP065N60E現(xiàn)可提供樣品，在2017年1月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為十周。