DDR5的內(nèi)存帶寬與密度為現(xiàn)今DDR4的兩倍，提供更好的信道效率，可望帶來更高的效能與功率管理能力。 雖然規(guī)格可望在明年出爐，但尚需芯片、主板、內(nèi)存制造商支持，預(yù)計(jì)2020年才會看到采用DDR5的系統(tǒng)。

專門制定固態(tài)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的聯(lián)合電子裝置技術(shù)協(xié)會（Joint Electron Device Engineering Council，JEDEC）上周宣布，第五代的雙倍數(shù)據(jù)率（Double-Data-Rate，DDR）與非揮發(fā)性雙列直插內(nèi)存模塊（A Non-Volatile Dual In-line Memory Module， NVDIMM）-P的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)都將在明年出爐，并準(zhǔn)備在今年6月舉行的服務(wù)器論壇（Server Forum）上公布更多細(xì)節(jié)。

根據(jù)JEDEC的規(guī)畫，DDR5內(nèi)存的帶寬與密度都將是DDR4的兩倍，并有更好的信道效率，以及更友善的服務(wù)器端與客戶端接口，可望帶來適用于多元應(yīng)用的高效能與功率管理能力。

DDR為系統(tǒng)的內(nèi)存，可用來儲存系統(tǒng)正在運(yùn)作的程序信息，更大的帶寬意味著也將加速系統(tǒng)的處理效能。

JEDEC表示，系統(tǒng)對于DRAM的容量與帶寬的需求都持續(xù)增加中，諸如JEDEC NVDIMM-P等混合式DIMM（Hybrid DIMM）將可提供針對成本、功率使用及效能優(yōu)化的內(nèi)存解決方案，成為運(yùn)算系統(tǒng)的新一代高容量持久內(nèi)存模塊。

盡管DDR5的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)可望在2018年出爐，但由于必須先有內(nèi)存制造商投入生產(chǎn)，再加上還得獲得芯片及主板業(yè)者的支持，因此預(yù)期用戶最快要到2020年才可在系統(tǒng)上看到DDR5，初期將率先被應(yīng)用在服務(wù)器與高階的游戲計(jì)算機(jī)上， 之后才會延伸到一般的PC與行動裝置。

另一方面，英特爾已宣布將推出自家的內(nèi)存模塊Optane，它來自英特爾及美光共同研發(fā)的3D XPoint內(nèi)存技術(shù)，使用了英特爾的內(nèi)存及儲存控制器、互聯(lián)專利與軟件。 Optane本身就是一個(gè)快取SSD，提供16GB與32GB兩種版本，并可用來取代DDR，其優(yōu)點(diǎn)之一為數(shù)據(jù)在計(jì)算機(jī)關(guān)機(jī)后仍可保存，缺點(diǎn)是它目前只支持特定的英特爾產(chǎn)品。