國家01專項技術總師、清華大學微電子學研究所所長魏少軍曾說過，存儲器產業講求規模，是一個需要長期持續投入的行業。據臺灣電子時報報道，紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲代行董事長高啟全透露，紫光集團以拿下 25％ 的 DRAM 市占為目標，若計入 3D NAND 投入成本，需要長達十年共計 1000 億美元的投資金額。

DRAM 產業正在從一個波動劇烈的市場，逐漸走向成熟。現階段，DRAM 技術每進入新一代制程技術僅增加 20％的半導體機臺設備，這意味著既存的半導體廠商的多數機臺設備已經折舊完，如果購買全新的設備投入追趕顯得并不明智。然而，在傳統 2D 走向 3D NAND 技術時，幾乎所有的半導體機臺設備都要更換，技術也在革新中，在投入方面所有存儲器廠商都處在同一個出發點，踩準這一時機大力投入，積極追趕是非常好的機會。

在具體的投入金額方面，高啟全算了一筆賬。紫光集團拿下 25％ 的 DRAM 市占為目標做例子，晶圓廠的每月單月產能在 30 萬片，制程設備方面投資需要 270 億美元，建廠成本在 330 億美元，產能滿載后的每年固定投資在 30～40 億美元，累計 5 年再投資 150～200 億美元，總投資金額需要 480～530 億美元，若再計入 3D NAND 的投資計劃，未來 10 年紫光集團在存儲器領域的總投資金額將高達 1000 億美元。

這是一筆巨大的投入。回顧臺灣存儲器產業的失敗的原因，高啟全表示，1985年，英特爾正式退出DRAM領域，在經歷了日本、韓國積極投入，后來者居上，韓國最終坐穩了第一把交椅。臺灣在 2008 年成立臺灣創新內存（TMC／TIMC）計劃集中發展 DRAM 產業資源，但終究因為資金問題未能如愿，原本 5000 億新臺幣的資金需求，政府僅提供了 80億，遠遠達不到預期。

他強調，“現在唯一有機會成為全球抗衡三星勢力的只有大陸，紫光會把這夢化為具體的實踐！”一定要有人扮演在全球平衡三星的勢力，目前只有大陸有能力有資金投入進來，長江存儲就是基于這個出發點而誕生，也是大基金唯一真正投資的存儲器企業。

目前，長江存儲已齊聚 500 名研發人員在武漢投入 3D NAND 開發，同時考慮研發 20／18 納米的 DRAM 產品，希望在技術開發具有一定競爭力后再投產。據長江存儲 CEO 楊士寧介紹，其 32 層 3D NAND 芯片順利實現了工藝器件和電路設計的整套技術驗證，通過電學特性等各項指標測試，達到預期要求，今年底將提供樣片，繼續向64 層 3D NAND 發展。高啟全高調歡迎美光（Micron）加入合作，直言雙方合則兩利，美光近一年來在全球DRAM 市占率從 28％ 掉到 18％，不快加入長江存儲的陣營一起奮斗，未來只會更辛苦。

據集微網了解，繼長江存儲武漢的生產基地動工后，紫光集團董事長趙偉國表示，再砸 460 億美元在成都和南京兩地啟動半導體基地，三個生產基地合計共投入 700 億美元。他希望在十年內，紫光集團將躋身全球前五大存儲器制造商。“只要有足夠的時間，中國半導體就能發展起來。”

在人才方面，紫光集團網羅前晨星創辦人楊偉毅出任紫光旗下長江存儲公司CTO，又延攬晶圓代工廠聯電前CEO孫世偉，擔任全球執行副總裁一職。楊偉毅是當初晨星的研發領袖，半導體業界人士評估，他的技術能力將讓紫光如虎添翼。而孫世偉加入后，將協助紫光在成都設立12寸晶圓廠，擴大紫光集團在整個半導體藍圖的構建，與高啟全聯手共筑邏輯和存儲器的雙版圖。