近年來我國一直在大力發展半導體產業，而存儲器芯片是其中最熱門的重點關注領域之一。作為集成電路的三大品類之一，存儲器芯片廣泛應用于內存、消費電子、智能終端和固態存儲硬盤等領域。對電子產品而言，存儲器芯片就像糧食一樣不可或缺。

存儲器芯片領域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內的信息就流失了，例如DRAM，電腦中的內存條。非易失性：斷電以后，存儲器內的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH和NOR FLASH），NOR主要應用于代碼存儲介質中，而NAND則用于數據存儲。在整個存儲器芯片里面，主要有的三種產品是：DRAM、NOR FLASH和Nand FLASH。其中DRAM市場上主要由三星、海力士和美光三大巨頭壟斷，占比達到90%以上。

AI存儲器商機可期 傳三星擬大幅增產DRAM

專為高效能AI（人工智能）處理器與服務器打造的3D堆疊DRAM，傳三星計劃增產三十倍。

3D堆疊DRAM采用硅穿孔（Through Silicon Via）技術，可將DRAM芯片垂直堆疊，由于進出通道加寬，傳輸速度也大幅加快。

韓國媒體ETnews引述產業消息報導指出，三星最近向設備供應商訂購新型20臺熱壓接合封裝機（TCB），這是硅穿孔技術的必要設備，且按理來說，新機具產出是原有機臺的八倍。

新TCB機臺今年底可就定位，預估屆時三星硅穿孔制程產能將可增加三十倍之多。

英特爾與Nvidia現均朝AI積極發展，也都是三星潛在客戶群。除此之外，日前有消息指出蘋果正在開發AI專屬芯片，將用以處理臉部與語音識別等工作，可應用于iPhone與iPad等裝置，三星顯然已嗅到這股AI存儲器的新商機就在不遠處。

美光力拼13納米DRAM、SK海力士沖刺18納米

三星電子制程領先，率先量產18納米DRAM，把同業拋在腦后。競爭對手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。

外媒報道，三星是DRAM龍頭，制程領先對手1~2年，2016年下半年首先量產18納米DRAM，計劃今年下半年推進至15納米。研究機構估計，今年底為止，三星打算把18納米DRAM的生產比重，提高至30%。業界人士說，三星會以利潤優先，不會擴產搶市，打亂價格。

三星一馬當先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計劃未來兩三年砸下20億美元，研發13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠增設無塵室設備，并購買了多項高價生產儀器。進入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產力將提高20%。美光已于今年第一季量產18納米DRAM。

與此同時，SK海力士也準備在今年下半年量產電腦用的18納米DRAM，接著再投入移動設備用的18納米DRAM。SK海力士會優先提高21納米制程良率，之后轉進20納米、再轉向18納米。SK海力士人員透露，該公司正在研發1y DRAM制程，但是還不確定量產時間。

在此之前，三星電子的韓國華城廠(Hwaseong)，即將擴產的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資3萬億韓元(約26.4億美元)提升DRAM產能。不過由于未來11線不再生產DRAM，產能一增一減之下，應該不至于沖擊DRAM供給。

韓媒曾報導，業界消息指出，三星半導體業務部門將擴充華城廠17線的DRAM產能，生產10納米等級的DRAM。三星已告知設備廠擴產計劃，并在三月份向部分業者下單，估計投資金額約為2.5萬億~3萬億韓元，完工后每月增產3.5萬片300公厘的硅晶圓，預定今年下半初步生產。

三星華城廠為綜合晶圓廠，17線生產DRAM、11線生產圖像傳感器和DRAM、16-2線生產3D NAND Flash、S3線生產10納米系統半導體。如今11線將轉為全數生產圖像傳感器CMOS和CIS，不再生產DRAM。三星為了彌補產能損失，決定擴大17線的DRAM產能。相關人士表示，此一投資是為了彌補11線產能縮減和制程微縮損失，對DRAM供需幾乎沒有影響。