時事通信社、讀賣新聞等多家日本媒體報導，已被東芝 ( Toshiba )出售的半導體公司「東芝記憶體(TMC)」社長成毛康雄和美國私募基金貝恩資本(Bain Capital)日本法人代表杉本勇次4日在東京都舉行了營運戰略說明會，期望藉由持續進行巨額投資、追趕龍頭廠三星電子。

TMC為全球第2大NAND型快閃記憶體 ( Flash Memory)廠商，市占率僅次于三星。據英國調查公司IHS Markit指出，2017年TMC于全球NAND Flash市場上的市占率為16.5%、位居第2，和龍頭廠三星(市占率38.7%)之間有一段不小的差距。

成毛康雄4日指出，「將加快技術研發、擴大生產，2年內將增加約500名技術人員」。成毛康雄并指出，計劃在3年后IPO (首次公開發行)、變更公司名稱。

關于今后的設備投資，杉本勇次表示，「每年數千億日圓的規模是必要的」。TMC 2017年度(2017年4月-2018年3月)設備投資額達5,768億日圓、創下歷史新高紀錄。

東芝6月1日宣布，「東芝記憶體(TMC)」已如預期在1日完成出售手續，以約2兆3億日圓的價格將TMC 100%股權賣給貝恩資本主導的企業聯盟所設立的收購目的公司「Pangea」。東芝將對「Pangea」進行再出資、取得40.2%股權(等同持有TMC 40.2%股權)，日廠Hoya也將取得9.9%股權，即日本陣營仍將取得「Pangea」過半股權。

TMC 5月22日發布新聞稿宣布，因3D架構的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)「BiCS FLASH」中長期需求料將呈現擴大，因此為了擴增3D NAND Flash產能，決定將在2018年7月于巖手縣北上市著手興建新工廠，該座北上新廠廠房預計將在2019年完工。

日刊工業新聞3月20日報導，TMC計劃在截至2022年度為止的5年內追加興建2座3D NAND Flash新廠房(不含上述北上新廠)、總計將有4座廠房在未來5年內啟用，期望藉由積極投資、追擊市占龍頭廠三星電子。

西數呼吁日本對與東芝合資企業提供支持，抵御三星競爭

據《金融時報》北京時間6月4日報道，西部數據再次呼吁日本政府對它與東芝的存儲芯片合資企業提供支持，因為它在與韓國競爭對手三星的競爭中面臨生死關頭。

在因東芝向貝恩資本領銜的財團出售存儲芯片業務引發的令人不快的法律糾紛劃上句號后，東芝和西部數據計劃借助它們合資企業生產的新一代閃存芯片，遏制市場份額下滑的趨勢。

西部數據日本分部負責人Atsuyoshi Koike在一次采訪中說，“政府資金的注入，能更好地確保合資企業的穩定性。我希望日本政府將更積極地提供有力支持，保護該國的半導體產業，否則它很難與其他國家競爭。”

上周五，由貝恩資本領銜、成員包括蘋果和韓國芯片廠商海力士在內的財團，完成了斥資180億美元收購東芝存儲的交易。東芝存儲是僅次于三星的全球第二大NAND閃存芯片供應商。

根據西部數據與東芝去年12月達成的和解協議，兩家公司的合資企業不會受到上述交易的影響。

當上述交易去年9月份提出來時，兩家日本政府投資的金融機構——日本創新網絡公司和日本發展銀行——決定作為投資方參與該交易。

它們參與交易旨在滿足日本政府的要求，即東芝存儲必須由日本機構控股。東芝仍然持有東芝存儲40.2%股份，但日本創新網絡公司和日本發展銀行沒有披露它們的投資金額。

西部數據與東芝之間的糾紛——西部數據稱合資協議賦予了它否決東芝出售存儲芯片業務的權利，它對海力士參與收購東芝存儲芯片業務存在擔憂——去年12月得到了解決。

但財務危機和法律糾紛給雙方造成重大損失，兩家公司NAND閃存芯片市場份額由2016年的35%下滑至31.7%，而三星市場份額則由36.1%上升至38.7%。

Koike和業內分析師指出，東芝和西部數據能否按計劃在今年年底量產被稱作96層3D閃存芯片的先進類型NAND芯片，將決定新一代閃存芯片市場的贏家。

東芝和三星在生產新一代閃存芯片方面采取不同策略，在競相證明哪一種策略更適合量產。Koike說，“今年年底雙方將分出勝負。”

雖然貝恩資本領銜的財團引發了將技術轉讓給海力士的擔憂，但分析師指出，東芝可能需要與國際上的競爭對手合作，共同對抗三星。市場研究公司IHS Markit分析師Akira Minamikawa說，“向海力士轉讓技術的可能性是存在的，但就目前來說，與海力士合作，共同對抗三星是一條生存之道。”

三星等半導體廠商涉嫌價格操控，遭中國反壟斷機構調查

據美國《華爾街日報》6月5日報道，中國監管機構正在調查存儲芯片生產商美光科技公司、三星電子和海力士半導體，這三家公司均表示，中國國家市場監督管理總局官員近期走訪了其中國辦公室。

另據英國路透社6月4日報道，韓國三星電子證實中國國家市場監督管理總局的調查人員上周造訪了其在中國的銷售辦事處。

芯片（芯片）制造商美光6月1日也表示，中方官員造訪了公司銷售辦事處。美國《華爾街日報》報道也稱，調查人員還造訪了韓國SK海力士的中國辦事處。報道稱，三星發言人稱，公司正在配合中國監管機構，但并未提供有關造訪的更多細節。

操控價格有前科？

據報道，這三家公司是動態隨機存取記憶體（DRAM）芯片最大的供應商，此次中方調查人員造訪，正值DRAM芯片價格顯著上漲之際。DRAM芯片用于智能手機及個人電腦的數據存儲。

韓國《亞洲經濟》4日援引《韓國經濟》的報道稱，2017年，三星電子、SK海力士、美國美光三家芯片企業占全球DRAM市場份額總和的96%。去年一年，三家公司半導體業務在中國營收依次分別為253.86億美元、89.08億美元、103.88億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。

報道稱，更早前的2016年下半年，DRAM價格便開啟了持續上漲模式，今年四五月份，一起美國消費者起訴三星電子、SK 海力士、美國美光等廠商人為操控零售價格的訴訟發起。訴訟人表示，上述三家公司的行動導致4G內存價格，在2016年7月1日至2018年2月1日內，DRAM芯片價格上漲了130%。

半導體業界人士認為，DRAM的價格持續上漲是不合理的市場狀態，一般價格波動周期是半年或者三個季度，價格持續上漲三個季度一般會下跌，波峰波谷交替是正常規律，即供不應求——價格上漲——產能過剩——價格下跌，但從2016年至今兩年里價格持續上漲，有明顯的操控跡象。

據悉，2005-2006年間，美國司法部曾裁定三星、海力士、英飛凌、爾必達、美光在1999-2002年間存在價格壟斷行為，除美光因率先認罪并協助調查而免于處罰外，其余四家公司被處以總計7.29億美元罰款。2014年，歐盟也曾向包括韓國三星公司、荷蘭飛利浦公司、德國英飛凌科技公司和日本瑞薩電子公司在內的全球芯片制造商開出罰單，原因是這些企業在兩年左右的時間里非法串通，共享合約和價格等信息，壟斷歐洲的智能卡芯片市場。最終，英飛凌被罰8200萬歐元（約合1.08億美元），飛利浦和三星分別被罰2000萬歐元和3500萬歐元。瑞薩因揭露壟斷行為而免受處罰。