下游需求結(jié)構(gòu)來看，手機(jī)、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲(chǔ)器芯片。主流存儲(chǔ)器市場以DRAM及NANDFlash為主，立基型存儲(chǔ)器則以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND等特殊型存儲(chǔ)器市場。從存儲(chǔ)容量需求來看，據(jù)美光數(shù)據(jù)2018-2020年DRAM的比特容量需求復(fù)合增速達(dá)到20-25%，NANDFlash的比特容量需求復(fù)合增速增速達(dá)到40-45%。
云計(jì)算即將跨入AI時(shí)代，單臺(tái)AI服務(wù)器需要2.5TBDRAM，是傳統(tǒng)服務(wù)器配置容量的數(shù)十倍。隨著AI服務(wù)器應(yīng)用的普及，服務(wù)器DRAM的容量需求將不斷提升。預(yù)計(jì)到2021年，包括硬件、軟件、系統(tǒng)服務(wù)在內(nèi)的全球AI市場規(guī)模將達(dá)到576億美金。
NANDFlash的增長主要受手機(jī)容量升級(jí)、SSD固態(tài)硬盤普及推動(dòng)。手機(jī)閃存容量配置不斷升級(jí)，目前主流手機(jī)品牌旗艦機(jī)型搭載64GB作為入門版設(shè)置，在視頻應(yīng)用、游戲應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，主流容量有進(jìn)一步向128GB攀升趨勢。SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)，未來將快速替代機(jī)械硬盤，2018-2020年是固態(tài)硬盤普及的黃金時(shí)期，滲透率曲線有望進(jìn)入最陡峭的階段。
NandFlash全面進(jìn)入3D時(shí)代，技術(shù)路線的變化為存儲(chǔ)芯片國產(chǎn)化提供契機(jī)。目前三星、美光、intel的3DNAND生產(chǎn)比重已經(jīng)突破80%，預(yù)計(jì)到2019年底3DNAND的出貨比重將超過90%。相比2D平面NANDFlash產(chǎn)品，3DNAND的單位比特成本更低，并且在不斷向更高層數(shù)的產(chǎn)品演進(jìn)。2018年是3DNAND從64層向96層過渡的一年，目前市場主流出貨產(chǎn)品為64層3DNAND，三星及東芝的96層研發(fā)工作已經(jīng)完成，目前已進(jìn)入試產(chǎn)階段。
特殊型存儲(chǔ)器產(chǎn)品形態(tài)多樣化，涵蓋SpecialityDRAM、NORFlash、SLCNAND、EEPROM、SRAM等。特殊型存儲(chǔ)器行業(yè)具有下游應(yīng)用風(fēng)扇、競爭格局好、產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移等特點(diǎn)，是能誕生高成長公司的好賽道。汽車智能化的需求愈演愈烈，ADAS、車聯(lián)網(wǎng)的ECU搭載率越來越高，國內(nèi)本土存儲(chǔ)芯片企業(yè)有望持續(xù)擴(kuò)大市場占有率。
投資策略：建議關(guān)注國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)企業(yè)。主流存儲(chǔ)器關(guān)：注長江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長鑫;特殊型存儲(chǔ)器關(guān)注兆易創(chuàng)新、武漢新芯、紫光國微;封測領(lǐng)域關(guān)注太極實(shí)業(yè)、深科技。，NANDFlash的比特容量需求復(fù)合增速增速達(dá)到40-45%。
云計(jì)算即將跨入AI時(shí)代，單臺(tái)AI服務(wù)器需要2.5TBDRAM，是傳統(tǒng)服務(wù)器配置容量的數(shù)十倍。隨著AI服務(wù)器應(yīng)用的普及，服務(wù)器DRAM的容量需求將不斷提升。預(yù)計(jì)到2021年，包括硬件、軟件、系統(tǒng)服務(wù)在內(nèi)的全球AI市場規(guī)模將達(dá)到576億美金。
NANDFlash的增長主要受手機(jī)容量升級(jí)、SSD固態(tài)硬盤普及推動(dòng)。手機(jī)閃存容量配置不斷升級(jí)，目前主流手機(jī)品牌旗艦機(jī)型搭載64GB作為入門版設(shè)置，在視頻應(yīng)用、游戲應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，主流容量有進(jìn)一步向128GB攀升趨勢。SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)，未來將快速替代機(jī)械硬盤，2018-2020年是固態(tài)硬盤普及的黃金時(shí)期，滲透率曲線有望進(jìn)入最陡峭的階段。
NandFlash全面進(jìn)入3D時(shí)代，技術(shù)路線的變化為存儲(chǔ)芯片國產(chǎn)化提供契機(jī)。目前三星、美光、intel的3DNAND生產(chǎn)比重已經(jīng)突破80%，預(yù)計(jì)到2019年底3DNAND的出貨比重將超過90%。相比2D平面NANDFlash產(chǎn)品，3DNAND的單位比特成本更低，并且在不斷向更高層數(shù)的產(chǎn)品演進(jìn)。2018年是3DNAND從64層向96層過渡的一年，目前市場主流出貨產(chǎn)品為64層3DNAND，三星及東芝的96層研發(fā)工作已經(jīng)完成，目前已進(jìn)入試產(chǎn)階段。
特殊型存儲(chǔ)器產(chǎn)品形態(tài)多樣化，涵蓋SpecialityDRAM、NORFlash、SLCNAND、EEPROM、SRAM等。特殊型存儲(chǔ)器行業(yè)具有下游應(yīng)用風(fēng)扇、競爭格局好、產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移等特點(diǎn)，是能誕生高成長公司的好賽道。汽車智能化的需求愈演愈烈，ADAS、車聯(lián)網(wǎng)的ECU搭載率越來越高，國內(nèi)本土存儲(chǔ)芯片企業(yè)有望持續(xù)擴(kuò)大市場占有率。
投資策略：建議關(guān)注國內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈優(yōu)質(zhì)企業(yè)。主流存儲(chǔ)器關(guān)：注長江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長鑫;特殊型存儲(chǔ)器關(guān)注兆易創(chuàng)新、武漢新芯、紫光國微;封測領(lǐng)域關(guān)注太極實(shí)業(yè)、深科技。