技術改變世界，但世界同時也在埋葬技術。

來自外媒的消息報道說，預計到2018年底，臺積電用7nm工藝完成流片的芯片設計將超過50款，而到2019年底會有100多款芯片采用其7nm和增強版7nm EUV極紫外光刻技術。

阿明觀察分析：搶奪全球芯片代工制造的話語權，臺積電TSMC可謂真的是拼了。

在此之前，有消息透露臺積電7nm EVU已經完成了芯片流片，7nm EVU相比于7nm DUV晶體管密度提升20％，同等頻率下功耗可降低6－12％。

極紫外光刻（Extreme Ultraviolet Lithography），常稱作EUV光刻，極紫外線就是指需要通過通電激發(fā)紫外線管的K極然后放射出紫外線。

業(yè)界有人曾提到，EUV 光刻的技術能夠拯救摩爾定律。這是，EUV光刻機的價格高達一億美金。目前，全球可以量產7nm工藝制程EUV光刻機的也只有ASML了。

更有意思的是，不僅ASML光刻機耗電量驚人。一臺輸出功率為250W的EUV光刻機工作一天，光是光源這一項，就會消耗3萬度電。

同時用于ASML的鏡片也是祖?zhèn)鞯模捎貌趟炯夹g打底。鏡片材質做到均勻，需幾十年到上百年技術積淀。德國，拋光鏡片的工人，祖孫三代在同一家公司的同一個職位。

話又說回來，臺積電計劃在2020年大規(guī)模量產7nm EUV，不得不提前布局，提前投入技術和人才為此而努力。當然，隨著7nm EUV技術登臺亮相，早先的28nm工藝利用率自然會大幅度下滑。因此技術創(chuàng)新迭代的同時，如何打理好老技術的利用價值，也是對臺積電一個不小的挑戰(zhàn)。（Aming）

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——阿明／撰文——

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