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關于5G射頻前端,你需要了解這些!

2018-12-23
關鍵詞: 5G 芯片 射頻半導體

雖然3GPP日前宣布,R15的第三階段標準R15 late drop的凍結時間將會推遲三個月,但這并沒有絲毫減慢廠商在5G上的步伐。無論是運營商、芯片供應商、終端廠商,甚至是應用開發者,都在加緊5G布局。尤其是射頻前端這塊,因為擔負著終端與基站通信的重要任務,他們的一舉一動受到了產業鏈的廣泛關注。過往也有很多媒體和分析師對5G射頻前端的現狀和發展給出了很多不同的觀點。


近日,半導體行業觀察記者與Qorvo亞太區移動事業部市場戰略高級經理陶鎮進行了一番深入交流,給大家帶來了行業專家對5G射頻前端的一些深刻見解。


5G對射頻提出新需求


在Qorvo公司2019財年Q1的財報會上,該公司的高層在接受分析師提問時指出,5G將給天線數量、射頻前端模塊價值量帶來翻倍增長。以5G手機為例,單部手機的射頻半導體用量達到25美金,相比4G手機近乎翻倍增長。其中濾波器從40個增加至70個,頻帶從15個增加至30個,接收機發射機濾波器從30個增加至75個,射頻開關從10個增加至30個,載波聚合從5個增加至200個。


按照陶鎮的觀點:“5G對射頻前端的影響,很大一部分就在于引入了3.5G和4.8G這兩個新頻段,進而帶來了新的射頻器件需求”。


陶鎮表示,全新的頻段引入,必須需要全新的濾波器、PA和開關配合。此外,還需要額外的天線調節器來做天線隔離,這主要是因為頻譜的翻倍,驅使你去使用更多的天線來做覆蓋而引起的。這樣的需求,也推動了天線陣列的應用、MIMO的誕生,給射頻前端提出新的需求。


“到了5G時代,基站和手機都必須引入天線陣列,基站可以做到64×64,但手機受限于尺寸限制,只能做到4×4或者2×4,這就帶來了相關射頻的需求”,陶鎮說。“來到MIMO方面,這個在4G時代就存在的技術到了5G則迎來了更剛性的需求。新的通信標準要求下行有4×4,上行也要翻倍,這也帶來了射頻器件的增加”,陶鎮補充說。


為了滿足5G的高頻率高速度需求,這就需要包括濾波器和PA等產品在技術上有升級。


按照陶鎮的說法,如果對于一般的頻率,SAW濾波器已經足夠了,但是如果要滿足更高的需求,則需要BAW濾波器。但他也強調,面向那些帶寬比較大(如600MHZ)的頻段,現有的這兩種濾波器還是不能滿足需求,這就需要更新工藝去滿足需求。


在PA方面,也需要引入更多的技術(如包絡跟蹤)來滿足5G的功率需求。據介紹,包絡跟蹤能夠通過不斷調整PA 電源電壓以跟蹤RF 包絡的方式來優化效率。但包絡跟蹤器預計在5G 部署期間只支持最多60 MHz 帶寬,而新的5G 頻段(如n77 和n79)則需要支持高達100 MHz 帶寬的單載波傳輸。為此,PA 將需要在平均功率跟蹤(APT) 固定電壓模式下運行,以實現寬帶5G 傳輸,同時會降低效率。


另外,終端設計的變化也給射頻提出了更多的考驗。


陶鎮告訴記者,現在的旗艦手機的設計趨勢還有功耗需求,要求射頻方面的集成化成都越來越高,但在其中一般都分中高頻和低頻設計。低頻方面,跟過往的差距不算大,但來到中高頻,那就需要更多尺寸更小,性能更好,功耗更低的器件配合。這時候要求的不單是你的設計能力,在相關的制造上也要跟上。


再加上256QAM等的需求,顯而易見,射頻器件供應商正在面臨前所未有的挑戰。


傳統廠商的見招拆招


面對這樣的新需求,包括Qorvo在內的一些傳統廠商也都在隨著5G發展的步伐,和產業鏈上下游一起,為推動5G的到來而努力。陶鎮也表示,整合了RFMD和TriQuint產品線的Qorvo在濾波器、PA、開關和模組方面都有著其他廠商所沒有的優勢。


首先看濾波器方面,資料顯示,Qorvo擁有廣泛的 RF 濾波器產品組合,包括雙工器、同向雙工器、三工器、四工器和分立式 RF 濾波器,可以覆蓋 400 MHz 至 2.7 GHz 的頻率范圍,包括蜂窩式 (2G/3G/4G/LTE)、GPS 和工業、科學及醫學 (ISM) 頻段,在大小、性能、成本和上市時間方面均處于市場領先水平。“特別是在BAW濾波器方面,Qorvo更是全球為數不多的幾個能提供這種濾波器的廠商之一”,陶鎮補充說。他們甚至也面向5G的2.5Ghz頻段,推出了適用的TQQ0041T濾波器。

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在PA方面,Qorvo也擁有包括CMOS、SOI、砷化鎵和氮化鎵在內的全面產品線。依賴于這些產品,Qorvo能夠為客戶提供滿足不同場景需求的產品。由于他們提供的是全頻段的產品,這也讓集成化變得更加簡單。另外Qorvo還有能滿足5G高頻率的開關。


“這些產品能獲得如此表現,都是依賴于Qorvo自有的晶圓廠和封測廠”,陶鎮指出。“同時擁有了PA、濾波器和開關,讓我們能調教出更好的模塊,這也是其他競爭對手所不具備的”,陶鎮接著說。去年12月推出的業界首款5G射頻前端模塊QM19000就是Qorvo在這方面的實力表現。據介紹,這個支持3.3-4.2 GHz寬帶工作的高集成度、高性能的模塊能夠實現高線性度、超低延遲和極高吞吐量,以滿足或超越未來5G應用的開發需求。這個產品也能夠給國內獲得這個頻段的電信和聯通給予充分的支持。

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面對中國移動的N41頻段,今年11月在在溫哥華舉行的第23屆GTI上,Qorvo更是展出了他們首個能滿足該頻段需求的射頻前端模塊QM 75041。據介紹,這個模組能夠滿足PC2的技術要求并針對高級RF的平臺,包括旗艦智能手機和數據設備進行優化,從而加快 5G 測試和部署。同時在在5G FR1 頻段(n77、n78 和n79)上,Qorvo也帶來了QM78201射頻前端模塊,支持該頻段的5G全球部署與現場試驗。

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除了傳統的產品外,Qorvo還面向基站推出了GaN PA產品。因為具備高擊穿電場、高飽和速度、出色的熱屬性,這也會是5G時代的射頻PA的一個選擇。市場上表示,LDMOS器件物理上已經遇到極限,這就是氮化鎵器件進入市場的原因。而基站應用需要更高的峰值功率、更寬的帶寬以及更高的頻率,這些因素都促成了基站接受氮化鎵器件。“但在手機上,因為電壓(GaN器件要在12V的時候才發揮最好效率)等原因,暫時沒看到GaN PA在這方面的需求,未來還將繼續看好砷化鎵”。


正因為5G的射頻如此復雜,且有那么大的市場,這就吸引了高通等主芯片廠入局射頻。面對這個問題,陶鎮指出,有競爭是好事,這短期內也會對Qorvo造成一定的影響。但長遠看來,Qorvo擁有的高性能產品也將讓其在與對手競爭時保持優勢。而我們也都在與國內外的頂尖手機廠商正在同步推進相關業務。陶鎮說。


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