過去幾十年，半導體產業(yè)在摩爾定律的指導下獲得了高速的發(fā)展，為了滿足摩爾定律“同等面積芯片集成的晶體管數(shù)每18個月翻一番”的要求，晶圓廠一直在推動工藝制程的更新。但隨著節(jié)點的演進，產業(yè)界普遍認為傳統(tǒng)的光刻將會在65nm或者45nm的時候遭受到障礙，為此他們尋找新的解決辦法，EUV就是他們的主要選擇。

　　所謂EUV，是指波長為13.5nm的光。相比于現(xiàn)在主流光刻機用的193nm光源，新的EUV光源能給硅片刻下更小的溝道，從而能實現(xiàn)在芯片上集成更多的晶體管，進而提高芯片性能，繼續(xù)延續(xù)摩爾定律。

　　芯片行業(yè)從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻（紫外線波長范圍是10~400nm）用以取代現(xiàn)在的193nm。EUV本身也有局限，比如容易被空氣和鏡片材料吸收、生成高強度的EUV也很困難。業(yè)內共識是，EUV商用的話光源功率至少250瓦，Intel還曾說，他們需要的是至少1000瓦。除了光刻機本身的不足之外，對于EUV光刻機系統(tǒng)來說，光罩、薄膜等問題也有待解決。

　　近兩年內來看（2019-2020 年），7nm 節(jié)點后光刻技術從 DUV 轉至 EUV，設備價值劇增。當前使用的沉浸式光刻技術波長 193nm（DUV，深紫外光），而當進行 7nm 以下節(jié)點制造時就需采用波長 13nm 的 EUV 光刻機。根據(jù) ASML 公布的路線圖，EUV 光刻機首先于2018年在7nm及以下邏輯芯片開始應用。在EUV設備制造過程中，由于EUV波長僅13nm，沒有合適介質進行精準折射，因而所有光路設計均采用反射的形式，設計更加復雜，對精度要求極高，制造難度極大。全球只有 ASML 生產的 NXE3400B 是唯一支持 7nm 及 5nm 的EUV 光刻機，單臺機器價值約 1.17 億美元。

　　臺積電擁有 EUV 設備最多，為 ASML 最大客戶，三星次之。EUV 設備作為 7nm 以下制程必備工藝設備，對廠商最新制程量產具有至關重要的作用。由于對精度要求極高，臺積電與 ASML 在研發(fā)上有相關技術配合。臺積電與三星是 ASML 前兩大訂購客戶。對于中國大陸廠商來說，并不存在“瓦森納協(xié)議”限制向中國出口最先進 EUV 光刻機的情況。中芯國際目前已從 ASML 預定 1 臺 EUV 光刻機，這對于中芯國際未來發(fā)展 7nm 以下技術具有積極意義。英特爾 7nm 采用 EUV 雙重曝光技術已有提前布局，仍有望按原定計劃量產。

　　在今年的5月份，三星就發(fā)布了基于7nm EUV工藝的下一代手機處理器Exynos 9825。三星稱，通過7nm EUV工藝，新處理器的生產過程可以減少 20% 的光罩流程，使整個制造過程更簡單，還能節(jié)省時間和金錢，另外還達成40%面積縮小、以及20%性能增加與55%的功耗降低目標。臺積電也在6月份宣布批量生產7nmN7+工藝，這是臺積電第一次、也是行業(yè)第一次量產EUV極紫外光刻技術。并表明這種新工藝的產量已經(jīng)可以達到原來7nm工藝的水平了。

　　在EUV之外，7nm 節(jié)點還有另外一種技術路徑，即采用 193nm 波長+SAQP 四重圖案化達到所需分辨率。下圖黃線中紅點處即代表采用193i 浸沒式光刻機+SAQP四重圖案技術，對應英特爾所選擇的技術路線；7nm在藍線中藍色區(qū)域代表采用EUV光刻機單次圖案化，代表臺積電和三星所選擇的技術路線。在之后的 5nm 節(jié)點，193i 光刻機技術難度更大，采用 EUV 雙重圖案化是較為合理的選擇。

　　從成本角度考量，193i 多重圖案化在某些場景仍然是最為經(jīng)濟的選擇。根據(jù)東京電子測算的不同曝光工藝標準化晶圓成本，EUV 單次曝光的成本是193i（DUV）單次曝光的 4倍，而 193i 四重圖案曝光 SAQP 是 3 倍，EUV 單次曝光技術的晶圓成本高于自對準四圖案曝光（193i SAQP）。采用 193i SAQP 仍然具有成本優(yōu)勢。

　　盡管 193i更為經(jīng)濟，但EUV 仍是未來更先進制程不可或缺的工具。英特爾在 Fab42 工廠已有布局 EUV，計劃用于 7nm 及以下節(jié)點，由于英特爾 7nm 節(jié)點不再面臨 SAQP 四重曝光技術難題，而是EUV 雙重曝光，有望重回正軌按原定計劃 2020 年量產。