分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模擬和邏輯器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家Nexperia宣布與知名汽車工程咨詢公司Ricardo合作，以研制基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的EV逆變器技術(shù)演示器。

　　GaN是這些應(yīng)用的首選功率器件，因?yàn)镚aN FETs使系統(tǒng)以更低的成本達(dá)到更高的效率、更好的熱性能和更簡(jiǎn)單的開關(guān)拓?fù)洹Ｔ谄囶I(lǐng)域，這意味著車輛行駛里程更長(zhǎng)，而這正是所有電動(dòng)汽車消費(fèi)者最關(guān)心的問題。現(xiàn)在，GaN即將取代基于硅的IGBT和SiC，成為插電式混合動(dòng)力汽車或純電動(dòng)汽車中使用的牽引逆變器的首選技術(shù)。

　　Nexperia去年推出了一系列已獲AEC-Q101認(rèn)證的GaN FET器件，在這一高效技術(shù)領(lǐng)域?yàn)槠囋O(shè)計(jì)師們提供成熟可靠的器件及不斷擴(kuò)充的產(chǎn)品組合，從而提供動(dòng)力系統(tǒng)電氣化所需的功率密度。Ricardo在汽車行業(yè)深受好評(píng)，這家全球性工程創(chuàng)新公司為汽車行業(yè)的概念提供設(shè)計(jì)和咨詢服務(wù)，包括技術(shù)原型和演示器的生產(chǎn)，并與McLaren和Bugatti等著名領(lǐng)先品牌合作。對(duì)于該項(xiàng)目，Ricardo是Nexperia理想的合作伙伴。

　　Nexperia GaN FET器件的總經(jīng)理Michael LeGoff表示：“通過將GaN FET器件用于逆變器設(shè)計(jì)并由Ricardo對(duì)逆變器進(jìn)行試驗(yàn)，我們能夠更好地了解如何安全可靠地駕駛車輛。我們正在開發(fā)一個(gè)實(shí)際解決方案，相信許多汽車設(shè)計(jì)師有興趣了解該解決方案，并發(fā)現(xiàn)該解決方案的優(yōu)勢(shì)。”

　　Ricardo技術(shù)與產(chǎn)品總監(jiān)Adrian Greaney稱：“半導(dǎo)體技術(shù)是逆變器系統(tǒng)效率的關(guān)鍵，在電動(dòng)汽車性能和效率方面發(fā)揮著重要作用。氮化鎵可以顯著提高開關(guān)速度和效率，堪稱一項(xiàng)推動(dòng)性的技術(shù)。除了增加行使里程，它還有助于縮小逆變器的封裝尺寸并減輕重量，從而提供更大的動(dòng)力系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性，并有助于減輕車輛重量。從系統(tǒng)層面看，該設(shè)計(jì)還有許多優(yōu)勢(shì)，Ricardo非常高興能夠與Nexperia就GaN FET器件展開合作。”