日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出了一款符合 AEC-Q101 要求的 N 通道 60 V MOSFET--- SQJ264EP，這是采用 PowerPAK? SO-8L 非對稱雙芯片封裝的業(yè)界首款此類器件。新的 Vishay Siliconix SQJ264EP 旨在滿足汽車行業(yè)節(jié)省空間以及提高 DC/DC 開關(guān)模式電源效率的需求。這個新器件在一個 5mm x 6mm 的緊湊型封裝中集成了一個高邊和一個低邊 MOSFET，低邊 MOSFET 的最大導(dǎo)通電阻低至 8.6 m。

　　與單個 MOSFET 解決方案相比，通過將兩個 TrenchFET? MOSFET 封裝在一個非對稱封裝中，今天發(fā)布的這款汽車級器件減少了元件數(shù)量和電路板空間需求，同時提高了功率密度。此外，其控制（高邊）和同步（低邊）MOSFET 在裸片尺寸上的優(yōu)化組合，可在占空比低于 50％的功率轉(zhuǎn)換中提供高于對稱雙器件的效率。

　　SQJ264EP 的通道 1 MOSFET 在 10 V 時最大導(dǎo)通電阻為 20 m，典型柵極電荷為 9.2 nC，而通道 2 MOSFET 在 10 V 時的導(dǎo)通電阻為 8.6 m，典型柵極電荷為 19.2 nC。由于沒有內(nèi)部連接的開關(guān)節(jié)點，SQJ264EP 為設(shè)計人員提供了將晶體管配置為不同拓?fù)涞撵`活性，包括同步降壓或同步升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

　　由于可在超過+175℃的高溫環(huán)境下工作，雙 MOSFET 能夠提供信息娛樂系統(tǒng)、顯示器、LED 照明以及電動自行車等汽車應(yīng)用所需的耐用性和可靠性。此外，與 QFN 單封裝和雙封裝相比，SQJ264EP 的鷗翼引線允許在其引腳下方實現(xiàn)更好的焊料流，增強(qiáng)自動光學(xué)檢查（AOI）能力以及更高的板級可靠性。

　　這些 MOSFET 100%通過了 Rg 和 UIS 測試，符合 RoHS 要求，不含鹵素。

　　SQJ264EP 的樣品和批量產(chǎn)品現(xiàn)已開始提供，大宗訂單的交貨期為 12 周。