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上海:爭取集成電路12納米先進工藝規模量產

2021-01-27
來源:全球半導體觀察

  據財聯社消息,2021年的上海兩會上,上海發改委提交的報告透露了多個重要信息。其中,在集成電路方面,上海爭取集成電路12納米先進工藝規模量產。

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  盡管財聯社的報道并未提及量產的具體情況,不過有媒體報道稱,該12納米先進工藝或是中芯國際位于上海的中芯南方的新工藝。

  據了解,中芯南方2016年12月成立于上海,為中芯國際“12英寸芯片SN1項目”的實施主體,該項目總投資90.59億美元,工藝技術水平為14納米及以下,規劃月產能3.5萬片,是中國大陸第一條FinFET工藝生產線,也是中芯國際14納米及以下先進工藝研發和量產的主要承載平臺。

  中芯國際聯席首席執行官梁孟松早在2019年中就曾表示,FinFET研發進展順利,12nm工藝開發進入客戶導入階段,下一代FinFET研發在過去積累的基礎上進度喜人。上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成,開始進入產能布建。

  截至2019年12月31日,中芯南方運營的12英寸先進制程產線處于試生產階段。


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