哈工大在國家急需時(shí)刻從不缺席，現(xiàn)在國家急需光刻機(jī)。哈工大的DPP-EUV光源出來，真的是史詩級(jí)成果，一流大學(xué)就應(yīng)該有世界頂尖水平，這是哈工大在超精密加工，超精密測量領(lǐng)域幾十年積累的結(jié)果！

　　中科院長春光機(jī)所在光刻機(jī)所需的透鏡及曝光系統(tǒng)上早已有突破，而最新的消息也顯示，長春光機(jī)所在實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)搭建出了一套EUV光源設(shè)備。

　　而長春光機(jī)所正基于哈工大DPP-EUV光源研制EUV曝光機(jī)，預(yù)計(jì)兩年內(nèi)可推出。光刻機(jī)的兩大核心部件為雙工件臺(tái)和曝光系統(tǒng)。

　　EUV光刻的全稱為極紫外光刻（Extreme Ultra-violet），其光源主要有2種：

　　1、一種是DPP-EUV極紫外光源。放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源

　　荷蘭ASML光刻機(jī)公司，哈工大研究的都是這一種。

　　DPP EUV光源利用放電使負(fù)載（Xe或Sn）形成等離子體，輻射出紫外線，利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜，獲得1EUV光。

　　DPP EUV光源的優(yōu)點(diǎn)是產(chǎn)生EUV的能量轉(zhuǎn)換效率高，造價(jià)低；缺點(diǎn)是電極熱負(fù)載高，產(chǎn)生碎片多，機(jī)制復(fù)雜，光學(xué)器件易于受損，光收集角小。

　　2、激光等離子體光源（LPP）

　　LPP EUV系統(tǒng)主要包括激光器、匯聚透鏡、負(fù)載、光收集器、掩膜、投影光學(xué)系統(tǒng)和芯片。

　　其原理是利用高功率激光加熱負(fù)載（Xe或Sn）形成等離子體，等離子體輻射出紫外線，利用多層膜反射鏡多次反射凈化能譜，獲得1EUV光。

　　LPP EUV光源的優(yōu)點(diǎn)是光源尺寸小，產(chǎn)生碎片或粒子的種類少，光收集效率高以及較容易放大EUV輸出功率。當(dāng)然它也有缺點(diǎn)，主要是系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜，價(jià)格昂貴。

　　這2種光源。哈工大都在15年前就研究了！

　　中國研究EUV極紫外光源的2個(gè)主要單位：

　　1、哈工大氣體可調(diào)諧激光技術(shù)國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 。

　　2、中國科學(xué)院上海光機(jī)所（哈工大畢業(yè)的研究員負(fù)責(zé)的項(xiàng)目、副所長。神光2的負(fù)責(zé)人之一）。

　　哈工大取的重大突破的是：

　　放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源。與荷蘭ASML光刻機(jī)公司的是同一種EUV極紫外光源。但是要把它做成為光刻機(jī)，還需要2年時(shí)間！

　　荷蘭光刻機(jī)，目前極紫外光源是美國產(chǎn)，還有一些主要部件是德國等國生產(chǎn)，清洗部件是藍(lán)英裝備生產(chǎn)。如果3-5納米光刻機(jī)兩年內(nèi)國產(chǎn)，則華為有救！哈工大功勞舉世無雙！

　　下面這個(gè)全球領(lǐng)先的成果。也來自哈工大這個(gè)實(shí)驗(yàn)室。

　　哈工大在祖國需要的時(shí)候能沖上去，這就是軍工大學(xué)的擔(dān)當(dāng)！

　　其實(shí)

　　中國在1977年就成功研究了光刻機(jī)。

　　那個(gè)時(shí)候，還沒有荷蘭ASML光刻機(jī)公司這個(gè)公司。

　　可惜中國80年代，都是造不如買去了。

　　以前日本人走的是激光等離子體光源。

　　荷蘭ASML光刻機(jī)公司走的是氣體放電激發(fā)等離子體EUV極紫外光源

　　（哈工大氣體可調(diào)諧激光技術(shù)國家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 研究的東西與他們一樣）。

　　荷蘭人成功了。