空間應用電源需要在抗輻射技術環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。

Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關元件，包括負載點轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和控制以及通用開關。這款MOSFET器件能夠承受惡劣的空間環(huán)境，增強電源電路的可靠性，并以更高的性能滿足MIL-PRF19500/746的所有要求。 

M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未來的衛(wèi)星系統(tǒng)，也可作為現(xiàn)有系統(tǒng)的備用電源。

新器件可以承受高達100 krad和300 krad的總電離劑量（TID）以及高達87 MeV/mg/cm2的線性能量轉(zhuǎn)移（LET）的單一事件效應（SEE）。在驗證測試中，器件的晶圓批次耐輻射合格率達到100%。

Microchip分立式產(chǎn)品業(yè)務部副總裁Leon Gross表示：“Microchip進入耐輻射MOSFET市場，體現(xiàn)了我們致力于為客戶提供支持，為航空航天和國防OEM廠商和集成商提供高性能解決方案和持續(xù)供應的長期承諾。除了公認的高質(zhì)量和可靠性外，M6 MRH25N12U3還為開發(fā)人員提供價值定價選擇以及全面的應用支持。”

M6 MRH25N12U3屬于Microchip豐富的航空、國防和航天技術產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品包括現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）、微處理器集成電路（IC）、線性IC、功率器件、分立器件和集成SiC和Si電源解決方案的電源模塊。再搭配單片機（MCU）和模擬產(chǎn)品，Microchip能夠滿足大功率系統(tǒng)控制、門驅(qū)動和功率級的需求，可為全球開發(fā)者提供整體系統(tǒng)解決方案。

Microchip在不斷推出新技術的同時，還尋求與航天產(chǎn)品制造商和集成商合作，保障現(xiàn)有和未來系統(tǒng)供應鏈的安全。

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