與非網6月18日訊 美商設備大廠應用材料在芯片布線技術上取得重大突破，提出推一種全新的先進邏輯芯片布線工藝技術，可微縮到 3nm 及以下技術節點。

　　應用材料表示，全新的 Endura Copper Barrier Seed IMS 解決方案在高真空條件下，可將七種不同工藝技術集成到了一個系統中，從而使芯片性能和功耗得到改善。

　　雖然晶體管尺寸縮小能夠使其性能提升，但這對互連布線中的影響卻恰恰相反：互連線越細，電阻越大，導致性能降低和功耗增加。從 7nm 節點到 3nm 節點，如果沒有材料工程技術上的突破，互連通孔電阻將增加 10 倍，抵消了晶體管縮小的優勢。

　　應用材料公司開發一種名為 Endura Copper Barrier Seed IMS 的全新材料工程解決方案。這個整合材料解決方案在高真空條件下將 ALD、PVD、CVD、銅回流、表面處理、界面工程和計量這七種不同的工藝技術集成到一個系統中。

　　其中，ALD 選擇性沉積取代了 ALD 共形沉積，省去了原先的通孔界面處高電阻阻擋層。解決方案中還采用了銅回流技術，可在窄間隙中實現無空洞的間隙填充。通過這一解決方案，通孔接觸界面的電阻降低了 50%，芯片性能和功率得以改善，邏輯微縮也得以繼續至 3nm 及以下節點。

　　應用材料公司高級副總裁、半導體產品事業部總經理珀拉布珀拉布？拉賈表示：“每個智能手機芯片中有上百億條銅互連線，光是布線的耗電量就占到整個芯片的三分之一。在真空條件下整合多種工藝技術使我們能夠重新設計材料和結構，從而讓消費者擁有功能更強大和續航時間更長的設備。這種獨特的整合解決方案可幫助客戶改善性能、功率和面積成本?！?/p>

　　此外，應用材料也指出，Endura Copper Barrier Seed IMS 系統現已被客戶運用在全球領先的邏輯節點代工廠生產中。有關該系統和其它邏輯微縮創新的更多信息已在美國時間6月16日舉行的應用材料公司 2021邏輯大師課上進行了討論。

　　應用材料公司是材料工程解決方案的領導者，全球幾乎每一個新生產的芯片和先進顯示器的背后都有應用材料公司的身影。應用材料同時為三星、英特爾（INTC.US）和臺積電（TSM.US）提供產品。該公司公布第二財季營收為56億美元，同比增長41%，為2017年以來的最高增速。該公司預計全年利潤為57億美元，營收為226億美元。