《電子技術(shù)應(yīng)用》
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UnitedSiC推出業(yè)界最佳6mΩ SiC FET

2021-09-14
來(lái)源:UnitedSiC

  2021年9月14日,美國(guó)新澤西州普林斯頓:領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC(聯(lián)合碳化硅)公司,現(xiàn)已發(fā)布業(yè)界最佳的750V、6mΩ器件,從而響應(yīng)了電源設(shè)計(jì)人員對(duì)更高性能、更高效率的SiC FET的需求。這款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品的一半,并且還提供了魯棒的5μs額定短路耐受時(shí)間。今天所發(fā)布的產(chǎn)品包括750V SiC FET系列中的9種新器件/封裝選項(xiàng),額定值為6、9、11、23、33和44mΩ。所有器件均有采用TO-247-4L封裝的方案,同時(shí)18、23、33、44和60mΩ器件還提供了采用TO-247-3L封裝的方案。這一750V擴(kuò)展系列與現(xiàn)有的18和60mΩ器件相輔相成,其為設(shè)計(jì)人員提供了更多的器件方案,實(shí)現(xiàn)了更大的設(shè)計(jì)靈活性,因此可實(shí)現(xiàn)最佳的性價(jià)比權(quán)衡,同時(shí)保持充足的設(shè)計(jì)裕度和電路魯棒性。

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  UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。這兩者結(jié)合起來(lái)就提供了寬禁帶技術(shù)的全部?jī)?yōu)勢(shì)--可實(shí)現(xiàn)高速和低損耗以及高溫工作,同時(shí)還可保持簡(jiǎn)單、穩(wěn)定和魯棒的柵極驅(qū)動(dòng),并具有集成的ESD保護(hù)。這些優(yōu)勢(shì)可通過(guò)品質(zhì)因數(shù)(FoM)進(jìn)行量化,例如RDS(on)×A,這個(gè)指標(biāo)衡量了每單位芯片面積的傳導(dǎo)損耗。在這一指標(biāo)上,第4代SiC FET在高低裸片溫度下均可達(dá)到市場(chǎng)最低值。RDS(on)×EOSS/QOSS這一FoM在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中很重要,第4代SiC FET的這個(gè)值是最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手值的一半。RDS(on)×COSS(tr)??這一FoM則在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中至關(guān)重要,如果將UnitedSiC額定電壓為750V的器件與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手額定電壓為650V的器件相比,前者的這個(gè)值比后者低約30%。對(duì)于硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用,SiC FET的集成體二極管在恢復(fù)速度和正向壓降方面優(yōu)于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的Si MOSFET或SiC MOSFET技術(shù)。第4代技術(shù)中所包含的其他優(yōu)勢(shì),則是通過(guò)先進(jìn)的晶圓減薄技術(shù)和銀燒結(jié)貼片工藝降低了從裸片到外殼的熱阻。這些特性可在要求苛刻的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大功率輸出,同時(shí)實(shí)現(xiàn)低芯片溫升。

  新的UnitedSiC SiC FET憑借其在開(kāi)關(guān)效率和導(dǎo)通電阻方面的最新改進(jìn),非常適合具有挑戰(zhàn)性的新興應(yīng)用。其中包括電動(dòng)汽車中的牽引驅(qū)動(dòng)器以及車載和非車載充電器,以及可再生能源逆變器、功率因數(shù)校正、電信轉(zhuǎn)換器以及所有AC/DC或DC/DC功率轉(zhuǎn)換中單向和雙向功率轉(zhuǎn)換的所有階段。成熟的應(yīng)用也可以從使用這種器件中受益--可以憑借其與Si MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器以及成熟的TO-247封裝的向后兼容性來(lái)輕松提高效率。

  正如UnitedSiC總裁兼首席執(zhí)行官Chris Dries所述:“UnitedSiC第4代SiC FET無(wú)疑是競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)中的性能領(lǐng)導(dǎo)者,并為寬禁帶開(kāi)關(guān)技術(shù)樹(shù)立了新的標(biāo)桿。新增的產(chǎn)品系列現(xiàn)在為所有的性能和預(yù)算規(guī)格以及更廣泛的應(yīng)用提供了更多選擇。”

  新款750V第4代SiC FET的定價(jià)(1000片起,美國(guó)離岸價(jià))從UJ4C075044K3S的4.15美元到UJ4SC075006K4S的23.46美元不等。所有器件均可從授權(quán)分銷商處購(gòu)買。


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