在過去的幾周里，包括 Efficient Power Conversion （EPC） Corporation、UnitedSiC 和 Intel 在內的幾家行業領先的電子制造商都宣布發布新的 FET 解決方案。這些新的 FET 有望提供比傳統硅 MOSFET 更好的表現。

　　雖然 EPC 和 UnitedSiC 改進了基于 GaN 和 SiC 的 FET 的功能，但英特爾通過引入其 RibbonFET 解決方案探索了一種不同的方法來實現更快的晶體管開關速度。

　　場效應晶體管 （FET） 通過其源極端子接收電流，調節其柵極端的電流并允許其通過其漏極端退出。這些器件在高功率開關應用中很有用。本文是市場上一些新 FET 的綜述。

　　EPC 的 eGaN FET 滿足高計算需求

　　在最近，EPC 指出，工程師將其 EPC2069 eGaN FET 用于一系列應用，包括網通、電信和計算。

　　該設備的一些其他功能包括：

　　功率密度：高達 4000 W/in 3

　　漏源電壓 （VGS） : 40 V

　　漏源導通電阻 （R DS（on） ）：1.6–2.5 mΩ

　　高頻操作：1 MHz

　　EPC 還表示，新的 eGaN FET 效率超過 98%，尺寸為 10.6 mm 2。該設備的尺寸使其成為高性能和空間受限應用的候選者。

　　EPC2069 的高功率密度能力也證明適用于 48 V–54 V 輸入服務器設計。由于它確保最大限度地減少反向恢復損耗和較低的柵極電荷，工程師可以選擇最新的 EPC FET 解決方案進行高達 1 MHz 的高頻操作。

　　EPC2069 與 DC-DC 轉換器次級側的兼容性還可讓設計人員滿足高功率密度計算應用的需求，包括重度游戲和人工智能。

　　UnitedSiC 用于硬開關的第 4 代 SiC FET

　　本月，UnitedSiC 宣布發布其第 4 代 SiC FET 系列。這些器件提供6 mΩ的低 R DS（on），提供 5ms 的短路耐受時間額定值。該系列包括 6、9、11、18、23、33、44 和 58 mΩ 額定 750 V SiC FET 器件，采用 TO-247-4L 封裝。

　　UnitedSiC 第 4 代 FET 系列的銀燒結芯片附著和晶圓減薄技術最大限度地減少了芯片到鑄造的熱阻，并最大限度地提高了各種應用的功率輸出。

　　由于 Gen SiC FET 系列具有強大的壓降和恢復速度能力，工程師可以將這些 FET 集成到硬開關操作密集型應用中。UnitedSiC 表示，這些器件在導通電阻和開關效率方面取得了顯著改善，使其非常適合 AC/DC 和 DC/DC 轉換、功率因數校正、基于能量逆變器的單向和雙向功率轉換等應用，以及電動汽車充電。

　　英特爾的 RibbonFET 將取代 FinFET 技術

　　在今年的英特爾架構日，該公司討論了其新的 RibbonFET 晶體管架構，該架構對英特爾現有的 FinFET 技術進行了重大改進。這種業界首創的環柵架構實現使設計人員能夠在不考慮電壓的情況下最大限度地提高驅動電流控制、開關效率和性能。

　　此外，設計人員可以改變 RibbonFET 高度靈活的帶狀通道的寬度，以適應多種高性能應用。

　　當前 FET 技術的一個共同挑戰是它們無法滿足縮小到 5 nm 節點的日益增長的需求。RibbonFET 通過提供用作通道的單層納米帶解決了這一障礙，顯著降低了空間受限設計的占用空間。

　　英特爾表示，通過集成 RibbonFET 和其他與電源相關的解決方案，工程師可以提高多種工作負載的計算性能。

　　RibbonFET 的單個納米帶堆棧可以實現與現有 FinFET 技術中的多個堆棧相同的驅動電流，同時提供更小的占用空間。由于設計人員可以改變靈活的帶狀通道的寬度，他們可以將 RibbonFET 技術融入各種開關、放大和驅動器應用中。

　　硅 MOSFET 與新的 FET 技術

　　與傳統的硅 MOSFET 相比，最新的 FET 技術可提供更高的性能、功率密度和開關效率。與傳統的 SiC MOSFET 不同，UnitedSiC 最新的第 4 代 SiC FET 技術提供了更好的恢復速度和正向壓降，降低了熱阻，從而最大限度地提高了輸出功率。

　　EPC2069 FET 與硅同類產品相比，提供相對更高的開關頻率、更高的效率和更小的占位面積，從而實現更低的開關損耗、零反向恢復損耗和更高的功率密度。

　　同樣，RibbonFET 提供高度靈活的通道，可適應更多功率密集型應用。全柵極 FET 架構允許更高的驅動電流控制，這是傳統硅 MOSFET 所不具備的。