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三星將斥資170億美元在美興建半導體廠

2021-12-04
來源:參考消息網

《日本經濟新聞》網站近日報道稱,近期,韓國三星電子公司宣布將在美國得克薩斯州建設“最先進的半導體工廠”。該公司將投入170億美元,力爭2024年下半年投產。三星將努力追趕在半導體代工領域處于領先地位的臺積電(TSMC)公司。

早在今年5月,三星就宣布在美國新建先進半導體工廠,一直在選擇建設地點。考慮到美國聯邦政府承諾給予的補貼和地方政府的基礎設施條件等,最終選擇了得克薩斯州泰勒市。選擇該市的一大好處是能夠從約30公里外的奧斯汀派遣技術人員。

新工廠定于2022年上半年開工建設。三星表示“新工廠將采用先進工序”,有分析認為將生產線寬3納米的新一代半導體。三星目前批量生產的最先進半導體為5納米,計劃2022年在韓國工廠啟動3納米半導體的生產,預計新工廠也將生產相同性能的半導體。

這將是繼2017年韓國平澤工廠投產以來,三星興建的第6家半導體“前工序工廠”。隨著新工廠投入運行,將形成韓國3家、美國2家、中國1家的生產布局。

美國擁有高通、賽靈思等諸多無廠半導體企業。谷歌和亞馬遜等IT巨頭也開始自主設計半導體,有望成為潛在的客戶。三星將在擁有眾多客戶的美國推進建設最先進工廠。

三星公司副會長李在镕最近訪問美國,與美國政府相關人士舉行了會談,就補貼問題進行了磋商。美國政府計劃向半導體行業提供總計520億美元的補貼。據稱三星是在確認了補貼發放條件等基礎上,決定建設新工廠。

臺積電也接受了美國的要求,正在亞利桑那州推進半導體工廠的建設。不過,美國英特爾對于向外國企業發放補貼持反對態度,三星能否按原計劃獲得補貼仍存在不確定性。




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