按照全球最頂尖的兩大代工廠臺(tái)積電、三星的計(jì)劃，今年雙方的工藝都將進(jìn)入3nm。

很多人認(rèn)為，今年將是臺(tái)積電、三星展開競(jìng)賽的一年，臺(tái)積電想保住自己大哥的位置，而三星不甘心當(dāng)老二，也想當(dāng)大哥，所以競(jìng)賽必然在3nm上進(jìn)行。

再加上三星押寶GAAFET技術(shù)，相比于臺(tái)積電的FinFET技術(shù)更先進(jìn)，所以三星是來(lái)勢(shì)洶洶。

表面上來(lái)看，確實(shí)是如此，但事實(shí)上，今年雙方并不會(huì)展開什么激烈競(jìng)爭(zhēng)，雙方真正的決戰(zhàn)將會(huì)在2025年的2nm工藝上展開，現(xiàn)在都只是前期準(zhǔn)備階段。

首先，在3nm上，不管臺(tái)積電的FinFET工藝是不是真的落后于GAAFET工藝，三星是搶不走太多臺(tái)積電份額的。

一方面是當(dāng)前臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)還很明顯，蘋果、AMD、聯(lián)發(fā)科、nividia、intel們都還站臺(tái)積電，三星的最大客戶還只有高通，明顯拼不過。

二是三星剛使用GAAFET技術(shù)，良率不可能很高，成本也不可能低下來(lái)，相比于臺(tái)積電成熟穩(wěn)定的FinFET而言，技術(shù)是先進(jìn)些，但芯片產(chǎn)能規(guī)模化不了，更多的只是前期工作，推動(dòng)技術(shù)落地成熟應(yīng)用而已，所以在3nm時(shí)就搶臺(tái)積電市場(chǎng)，真的難以實(shí)現(xiàn)。

可以說(shuō)，三星之所以在3nm時(shí)使用GAAFET這種技術(shù)，更多的還是在后續(xù)做準(zhǔn)備，提前熟悉、掌握這一技術(shù)，這樣在后續(xù)工藝時(shí)更有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

到2025年時(shí)，臺(tái)積電也要轉(zhuǎn)用GAAFET工藝了，并且在2025年臺(tái)積電、三星都會(huì)進(jìn)入2nm工藝，都使用GAAFET技術(shù)，這時(shí)候才是兩者真正決戰(zhàn)的開始。

臺(tái)積電在2025年時(shí)才 算是首次進(jìn)入GAAFET工藝，而三星相當(dāng)于已經(jīng)提前熟悉了3年，三星在GAAFET工藝更有優(yōu)勢(shì)了。

再加上三星前期做的各種準(zhǔn)備工作，三星在2025年時(shí)，也就是都進(jìn)入GAAFET工藝時(shí)，才是真正有希望搶臺(tái)積電市場(chǎng)的時(shí)候，那時(shí)候也將是真正的大決戰(zhàn)時(shí)候。