眾所周知，芯片的原材料是砂子，但從砂子變成芯片，中間要經過N道工序，需要N種設備，同時也需要尖頂的技術。

而這些設備中，最重要的就是光刻機、刻蝕機了，按照機構的數據顯示，在芯片制造的所有設備中，光刻機的成本占比約為24％，而刻蝕機的占比約為20％，這兩種設備合計占比為44％。

之后再是薄膜沉積設備、測試設備和封裝設備，分別占比20％、9％、6％。不過薄膜沉積設備不只有一臺，而是一類機器，有很多種，與光刻機、刻蝕機還是不一樣的。

那么問題就來了，既然這兩種設備這么關鍵，那么國內的光刻機、刻蝕機技術如何，與世界先進水平相比，有多大的差距？

先說光刻機，這也是大家最關心的，目前全球最頂尖的光刻機自然是ASML的0．55孔徑的EUV光刻機，售價大約為22億一臺，可生產2nm以下甚至埃米級（0．1nm）級的芯片。

之后再是0．33孔徑的ASML的EUV光刻機，售價10億元一臺，可生產5nm、4nm、3nm級別的芯片。

不過EUV光刻機只有ASML能夠生產，像尼康、佳能也不生產不了，而目前國內廠商上海微電子能夠生產的，且對外公開的（不公開的不清楚），只能用于90nm工藝，離ASML至少是10年的差距。

再說說刻蝕機，這一塊國產就非常厲害了，國內有一家廠商叫做中微半導體，生產的刻蝕機，在精度方面已經達到了3nm，并且被臺積電采用。

而中微半導體的刻蝕機與國際頂尖水平的應用材料、泛林相比，是處于同一水平的，這一塊沒有落后。

另外再提一下薄膜沉積設備這一塊，國內北方華創等也有生產，不過精度大約在14nm的水平，國產化率在10％到15％。

可見，半導體設備中的關鍵產品，我們其實除了光刻機外，其它的并不算特別落后，只要國產光刻機能夠有突破，那么純國產芯片的工藝也就能夠迅速突破了。