從制造工藝來看，憶阻器制造技術(shù)主要有納米壓印、溶液制備、電子束光刻等，但這些制備工藝或技術(shù)不成熟，或效果較差，無法制造出理想的憶阻器產(chǎn)品。

憶阻器，全稱為記憶電阻器，是一種表示磁通與電荷關(guān)系的器件，是有記憶功能的非線性電阻，其阻值由流經(jīng)的電荷確定，通過測定阻值，便可計算出流經(jīng)的電荷量，從而具有記憶電荷作用，也可以通過控制電流變化來改變其阻值。

憶阻器概念于20世紀(jì)70年代初被提出，2008年，美國惠普公司研制出全球首個納米憶阻器。憶阻器可以應(yīng)用在數(shù)據(jù)存儲、人工智能、通信等領(lǐng)域。在數(shù)據(jù)存儲方面，由于憶阻器具有非易失性，制造而成的存儲器可以應(yīng)用在計算機(jī)、數(shù)據(jù)中心方面，即使斷電，在通電后設(shè)備仍會記憶原有數(shù)據(jù)信息；在人工智能方面，由于憶阻器具有記憶功能，可以實(shí)現(xiàn)人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)突觸，讓計算機(jī)、機(jī)器人來模擬大腦功能；在通信方面，憶阻器可以實(shí)現(xiàn)保密通信。總的來看，憶阻器對電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展將會產(chǎn)生重大影響。

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2022－2026年憶阻器行業(yè)深度市場調(diào)研及投資策略建議報告》顯示，從材料方面來看，已經(jīng)研究問世的憶阻材料主要有金屬氧化物、過渡金屬硫化物、有機(jī)材料、鈣鈦礦材料等類型，全球多所高校與機(jī)構(gòu)對其研究仍在不斷深入，但尚未有綜合性能優(yōu)良且適合工業(yè)化生產(chǎn)的產(chǎn)品。從制造工藝來看，憶阻器制造技術(shù)主要有納米壓印、溶液制備、電子束光刻等，但這些制備工藝或技術(shù)不成熟，或效果較差，無法制造出理想的憶阻器產(chǎn)品。

現(xiàn)階段，全球憶阻器行業(yè)仍處于發(fā)展初期，有產(chǎn)品被陸續(xù)研發(fā)問世，但并未大規(guī)模供應(yīng)市場。憶阻器體積小、能耗低、存儲性能優(yōu)、工作效率高，僅從存儲器方面來看，即具有廣闊市場空間，可以應(yīng)用到云計算、物聯(lián)網(wǎng)、消費(fèi)電子、醫(yī)療設(shè)備、航空航天、科學(xué)研究等眾多領(lǐng)域。因此全球研究開發(fā)憶阻器的高校、機(jī)構(gòu)、企業(yè)數(shù)量不斷增多。

在海外，美國、英國、德國、日本、韓國等國家均在大力研發(fā)憶阻器，研究機(jī)構(gòu)與企業(yè)主要有美國內(nèi)布拉斯加大學(xué)、德國基爾大學(xué)、惠普、英特爾、IBM、NEC、三星等。與國外相比，我國憶阻器研究起步晚，2010年之后研究步伐才逐步加快，相關(guān)研究機(jī)構(gòu)與高校主要有華東理工大學(xué)、華中科技大學(xué)、南京大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、國防科技大學(xué)、中科院微電子所等。

新思界行業(yè)分析人士表示，與國外相比，我國憶阻器研究成果相對較少，且研究機(jī)構(gòu)／高校與企業(yè)之間的合作較少，不利于憶阻器產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。憶阻器的材料開發(fā)與制造工藝研究還在不斷深入，市場仍處于發(fā)展初期，我國還有追趕時間。未來，開發(fā)綜合性能優(yōu)、可工業(yè)化生產(chǎn)的憶阻材料，以及研發(fā)理想、高效的憶阻器制備工藝，是我國今后所需關(guān)注的重點(diǎn)。