眾所周知，制造7nm及以下工藝的芯片，需要用到EUV光刻機(jī)，而全球僅有ASML能夠生產(chǎn)。

ASML在2015年，就推出了第一代EUV光刻機(jī)WINSCAN NXE：3400B，之后在2019年推出了NXE：3400C，2021年推出了NXE：3600D。

不過據(jù)稱，NXE：3600D型號(hào)的EUV光刻機(jī)，支持的工藝可能僅到3nm，如果要制造2nm的芯片，光刻精度還要提升，需要新一代的High－NA極紫外光刻機(jī)才行。

而光刻精度怎么提升，就是數(shù)值孔徑的提升了， 前幾代光刻機(jī)，比如3400B／C、3600D的數(shù)值孔徑都是0．33NA的，解析度（精度）為13nm，單次構(gòu)圖間距為32nm到30nm。

而要生產(chǎn)2nm的芯片，數(shù)值孔徑要變?yōu)?．55NA，也就是解析度（精度）為8nm，這樣可以更更快更好地曝光更復(fù)雜的集成電路圖案，同時(shí)單次構(gòu)圖間距低于30nm。

這種新的EUV光刻機(jī)叫做型號(hào)，就叫做EXE：5200，目前ASML已經(jīng)有了規(guī)劃，預(yù)計(jì)在2024年底，或者2025年交付。

而基于0．55NA數(shù)值孔徑的光刻機(jī)，光刻分辨率將允許芯片縮小1．7倍、同時(shí)密度增加2．9倍，其處理晶圓的能力是每小時(shí)處理220片12寸晶圓左右，真正用于制造3nm以下的芯片。

一小時(shí)處理220片12寸的晶圓，其產(chǎn)能有多大？如果是蘋果A16這樣的芯片，一塊晶圓可以切割600塊左右，理論上一臺(tái)這樣的光刻機(jī)，一年可以就光刻10億顆以上……

至于價(jià)格方面，ASML表示，其0．55NA的下一代EUV光刻機(jī)單價(jià)將達(dá)到3億多美元（約合20億元人民幣）。

至于買家，當(dāng)然只有臺(tái)積電、三星、英特爾三家才有資格購買，其它的晶圓廠，能夠買到0．33NA的EUV光刻機(jī)，就已經(jīng)非常不錯(cuò)了，不要想這種0．55NA的。

當(dāng)然，如果不生產(chǎn)7nm及以下的晶圓，EUV光刻機(jī)都不需要，DUV就夠了，更就不用糾結(jié)這3億多美元一臺(tái)的0．55NA的EUV光刻機(jī)了。

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