據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日在山西太原舉行了太忻一體化經(jīng)濟(jì)區(qū)推介會(huì)，大約有十幾個(gè)合作項(xiàng)目簽約成功，其中第2代半導(dǎo)體砷化鎵面射型智能應(yīng)用芯片研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目落戶山西，總投資規(guī)模超10億元。

砷化鎵(GaAs)是第二代半導(dǎo)體材料，擁有電子遷移率高的特點(diǎn)，不同于第三代半導(dǎo)體擊穿場(chǎng)強(qiáng)、功率密度高的特點(diǎn)，因此適合做光芯片。三代半導(dǎo)體各有各的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景，并不是進(jìn)化關(guān)系。

第二代半導(dǎo)體大約在上世紀(jì)六十年代進(jìn)入實(shí)用階段，砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料，用來(lái)制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。

用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件比如體效應(yīng)器件。GaAs是半導(dǎo)體材料中具有多方面優(yōu)勢(shì)的存在，但是其晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件，而且其制作工藝要求很高。

本次投資規(guī)模超十億的砷化鎵面射型智能芯片主要應(yīng)用于5G通信和消費(fèi)市場(chǎng)的各類智能人工智能產(chǎn)品。這次會(huì)議簽署的項(xiàng)目總投資額約為64億元，包含各類高端裝備制造、電子信息、新材料、現(xiàn)代服務(wù)業(yè)等領(lǐng)域。

本次簽署還有其他的簽署項(xiàng)目，比如主要用于智能汽車的車燈和消費(fèi)市場(chǎng)LED照明設(shè)備的納米車燈芯片研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目，投資3億年產(chǎn)量20萬(wàn)套設(shè)備;還有總投資超過(guò)8億的超薄藍(lán)晶體玻璃濾光片生產(chǎn)項(xiàng)目等。

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