文獻(xiàn)標(biāo)志碼：A
DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.222961
中文引用格式： 晏穎，曹玉升，張睿. eFuse失效分析與可靠性電路設(shè)計(jì)[J]. 電子技術(shù)應(yīng)用，2023，49(1)：26-31.
英文引用格式： Yan Ying，Cao Yusheng，Zhang Rui. Failure analysis of eFuse and reliability circuit design[J]. Application of Electronic Technique，2023，49(1)：26-31.
0 引言
eFuse（Electrically Programmable Fuse）技術(shù)于2004年由IBM公司首次發(fā)布，它基于電子遷移原理工作，即通過電流流過導(dǎo)體時(shí)產(chǎn)生的質(zhì)量輸運(yùn)現(xiàn)象使得導(dǎo)體的電阻屬性發(fā)生變化[1]。具體來說，eFuse就是在其熔絲兩端加上電壓，在電流流過時(shí)發(fā)生電子遷移導(dǎo)致其電阻值增大或者產(chǎn)生焦耳熱使其發(fā)生熱斷裂。eFuse用作存儲(chǔ)器時(shí)，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是通過保持或改變?nèi)劢z的電阻值實(shí)現(xiàn)的，讀出數(shù)據(jù)則是基于將熔絲的電阻值轉(zhuǎn)換成電壓值、再判別輸出的過程。可見，熔絲電阻特性的變化以及電阻電壓轉(zhuǎn)換過程的穩(wěn)定性直接影響eFuse的可靠性。其中，熔絲電阻特性與工藝狀態(tài)、材質(zhì)屬性、編程條件、電遷移過程等存在關(guān)聯(lián)，影響因素很多。而電阻電壓轉(zhuǎn)換穩(wěn)定性則和電路及版圖設(shè)計(jì)、工作環(huán)境、工藝器件特性等有強(qiáng)相關(guān)性[2-4]。本研究基于系統(tǒng)及電路優(yōu)化的策略，通過完善功能電路設(shè)計(jì)、增加針對(duì)性的控制模塊和電路等來提高eFuse可靠性。
本文詳細(xì)內(nèi)容請(qǐng)下載：http://m.viuna.cn/resource/share/2000005071。
作者信息：
晏穎1，曹玉升1，張睿2
（1.上海飛聚微電子有限公司， 上海201316；2.浙江大學(xué) 微納電子學(xué)院，浙江 杭州310014）