在經歷了2021-2022的寒冬后，存儲市場彌漫著一股悲觀的情緒，何時止跌，何時回暖，成為了大家在2023年最為關注的問題。
機構與廠商表示，存儲價格預計在今年第二季度到達谷底，市場有望在第三季度觸底反彈。如火如荼的物聯網(IoT)、智能汽車和工業機器人，AI算力提升的需求，以及ChatGPT的拉動，有望讓存儲市場在2023年下半年一掃陰霾，迅速回暖增長。
市場轉暖，需求再度旺盛，價格回抬，這正是國產廠商難得的一場的機遇，而廠商能否把握機會，借助這股東風，乘勢而起，迎來發展的第二春呢？
恰好聚焦于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的東芯半導體，其于近日發布了2022年財報，在這份財報中，或許我們可以一瞥國產存儲廠商的信心所在。
市場與產品布局
4月14日，東芯半導體股份有限公司（以下簡稱東芯，證券代碼688110）了發布2022年度業績報告。報告顯示，在2022年財年，公司實現營業總收入為11.46億元，比上年同期1.03% 。歸屬于上市公司股東的凈利潤為 1.85 億元，歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤為1.65億元。
雖然從利潤上看，在行業現狀的影響下，公司也不能置身事外。但正如東芯在財報中說，公 司積極應對挑戰，不斷精進研發技術實力，持續開發新產品，加強品質與服務管理，開拓新市場與新應用，總體發展穩中有進。
“公司高度重視并始終保持高水平研發投入，堅持技術創新，保證公司產品的技術先進性。2022 年公司堅持開發新產品和技術升級。”東芯在財報中強調。
作為國內少有的具備多種存儲芯片技術儲備的企業，東芯的存儲產品布局可以用豐富來形容，從NAND到NOR再到DRAM，較為全面的橫向布局讓東芯在成熟產品的細分市場實現了填補和替代效應，與行業領先企業形成了差異化競爭。
首先看NAND Flash方面，如財報中所說，東芯股份的SLC NAND Flash 量產產品以中芯國際 38nm、24nm，力積電 28nm 的制程為主。在存儲容量方面則覆蓋了 512Mb 至 32Gb，可靈活選擇 SPI 或 PPI 類型接口，廣泛應用于如 5G 通訊模塊和集成度要求較高的終端系統運行模塊。
此外，東芯還在 28nm 及 24nm 的制程上持續開發新產品，不斷擴充 SLC NAND Flash 產品線，報告期內部分新產品已達到量產標準。公司先進制程的 1xnm NAND Flash 產品已完成首輪晶圓流片，并已完成功能性驗證。
據東芯在財報中介紹，公司自主設計的 SPI NOR Flash 存儲容量覆蓋 64Mb 至 1Gb，并支持多種數據傳輸模式， 普遍應用于可穿戴設備、移動終端等領域。從技術構成上看，公司的 NOR Flash 產品在力積電的 48nm 制程上持續進行更高容量的新產品開發，目前 512Mb、1Gb 大容量 NOR Flash 產品都已有樣品可提供給客戶。
與此同時，東芯還在中芯國際的 NOR Flash 產品制程從 65nm 推進至 55nm，目前該制程產線已完成首次晶圓流片。公司將持續在現有產品的基礎上為客戶提供更多樣化的、高可靠性的產品選擇。
來到DRAM方面，東芯方面表示，公司研發的 DDR3(L)系列是可以傳輸雙倍數據流的 DRAM 產品，具有高帶寬、低延時等特點，在通訊設備、移動終端等領域應用廣泛;公司針對移動互聯網和物聯網的低功耗需求，自主研發的 LPDDR 系列產品具有低功耗、高傳輸速度等特點，適合在智能終端、可穿戴設備等產品中使用。
“公司設計研發的 LPDDR4X 及 PSRAM 產品均已完成工程樣片并已通過客戶驗證，公司將繼續在 DRAM 領域進行新產品的研發設計，助力公司產品多樣性發展。”東芯在財報中強調。
作為一家IC設計企業，東芯自成立以來一直采取 Fabless 模式，專注于集成電路設計及最終銷售環節，將晶圓制造、封裝和測試等環節外包給專門的晶圓代工、封裝及測試廠商。
進入2022年中，東芯持續優化著自身產業鏈結構，在加強與中芯國際及力積電兩家國際一流大廠的合作范圍與合作深度的同時，封裝測試方面也已經與宏茂微、華潤安盛、南茂科技、AT Semicon 等境內外知名封測廠建立穩定的合作關系，在可預見的未來，東芯所構筑的健全全球化供應鏈，能滿足不同客戶的更多需求，在市場中形成自身的優勢。
同時，為了更好地推進市場銷售，東芯產品銷售還采用“經銷、直銷相結合”的銷售模式。經銷模式下，公司與經銷商之間采用買斷式銷售；直銷模式下，終端客戶直接向公司下訂單。在經銷模式下，作為上下游產業的紐帶，經銷商在開拓市場、提供客戶維護、加快資金流轉等方面具有優勢，二者互相結合，有效帶動了東芯的銷售增長。
專利與技術研發
從財報中我們可以看到，能夠在競爭激烈的國內市場獲得突圍，東芯半導體具有獨立自主的知識產權是公司突圍的根本。據介紹，東芯掌握了NAND/NOR/DRAM相關多類核心技術，而通過自身研發團隊，目前已形成較為完善的技術矩陣。依托自主技術，東芯可以根據客戶的特定需求提供 NAND、NOR、DRAM 等存儲芯片定制化的設計服務和整體解決方案，提升業務豐富度和客戶黏性。
針對市場需求的變化，公司也在加大研發方面的投入，為新一輪的市場變化做好充分準備。據東芯在財報中披露，公司2022年研發投入1.10億元，同比增長47.46%，占當期營業收入9.63%。
為了保證產品的輸出，東芯在2022年還結合社招、校招、內部推薦等多種方式吸納人才， 報告期內公司員工數量從 184 人增加至 234 人，增長 27.17%，其中研發與技術人員從 87 人增加 至 130 人，大幅增長 49.43%，研發人員占比從 47.28%增加至 55.56%。
在這個富有競爭實力的團隊支持下，東芯在很多技術上實現了創新。如如公司設計研發的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均為我國領先的閃存芯片工藝制程，實現了國內閃存芯片的技術突破。當中的NAND Flash 產品，公司的核心技術優勢明顯，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了業內領先的單顆集成技術，將存儲陣列、ECC 模塊與接口模塊統一集成 在同一芯片內，有效節約了芯片面積，降低了產品成本，提高了公司產品的市場競爭力。
截止去年年底，公司的在研項目涵括了1xnm NAND Flash 系列產品、24nm NAND Flash 系列產品、28nm NAND Flash 系列產品、48nm NOR Flash 系列產品、55nm NOR Flash系列產品、25nm 4Gb LPDDR4X。此外，公司還在投入到DRAM產品和車規產品的研發。
據介紹，東芯股份基于中芯國際 38nm 工藝平臺的 SLC NAND Flash和基于力積電 48nm 工藝平臺打造的NOR Flash已經通過 AEC-Q100 測試，適用于要求更為嚴苛的車規級應用環境。
東芯在2022年財報周期內申請了63項發明專利、1 項軟件著作權、13項集成電路布圖設計權。
截至報告期末，東芯共擁有境內外有效專利 70 項、軟件著作權 13 項、集成電路布圖設計權 68 項、注冊商標 11 項，累計申請境內外專利 150 項，獲得專利授權 69 項，專利涉及 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存儲芯片的設計核心環節，企業厚積薄發之勢愈發明顯。
基于這些自主完整的知識產權，東芯還能根據客戶需求定制其所需要的存儲芯片定制化的設計服務 和整體解決方案，幫助客戶降低產品開發時間和成本，提高產品開發效率。而在為客戶進行定制化產品過程中，東芯不斷深入了解市場需求，接收客戶反饋，已經建立了 “研發-轉化-創新”的技術發展循環，有利于公司進一步增強技術研發實力。
展望未來，東芯表示，首先，公司將持續微縮產品制程，堅持穩定的供應鏈布局。
據介紹，公司將在現有的存儲芯片設計能力的基礎上，持續與中芯國際合作開發生產 1xnm NAND Flash 芯片，實現國內存儲芯片先進制程技術的進一步突破，從而為將來設計更高容量、更具成 本優勢的產品打開空間，提供先進工藝制程的保障。
其次，持續優化產品結構，開拓多元化市場。在目前的產品線基礎上，東芯將憑借強大的研發能力，不斷推陳出新，及時迭代提升產品關鍵性能，涵蓋市場主流的中小容量存儲芯片產品。
例如在 SLC NAND Flash 方面，公司將不斷提升 2xnm 產品良率;在 NOR Flash 產品方面公司將逐 步實現 55nm 工藝產品全面量產;DRAM 方面公司將持續開發更先進工藝制程下的 DRAM 產品，進一步擴大公司存儲器產品的種類與規模。
公司還將聚焦高附加值產品，順應汽車產業在智能網聯功能的布局，大力發展在工藝技術、使用環境、抗振能力、可靠性等方面比傳統消費電子類存儲芯片要求更高的車規級存儲芯片，實現車規級閃存產品的產業化目標。
國產存儲的新機遇
如何在發生波動的存儲市場中抓住國產替代的機會，在行業大趨勢下，實現半導體“區域化”“自主化”的轉變，這不僅是國家層面的問題，也是國產存儲廠商面臨的一場新挑戰。
而東芯半導體作為細分市場的新生力量，憑借強大的研發能力和穩定的供應鏈體系，在2022年的寒冬里站住了腳跟，它所發布的2022年財報無疑是一份讓投資人滿意的高分答卷。
目前國內集成電路需求依舊旺盛，而自給量不足，這種情況下集成電路產業國產替代大有可為，而聚焦于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的東芯，從創立之初，就堅定了自己的方向，通過差異化競爭成功在市場中站穩腳跟，在2022年財報中，我們可以看到東芯依舊保持銳意進取之意，在研發技術方面保持高額投入，持續鞏固自己的獨特優勢。
在新能源汽車迅速發展的2023年，已經開始布局車規芯片市場的東芯，會給我們帶來什么樣的驚喜，這非常值得期待。
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