7月31日消息，韓國(guó)半導(dǎo)體廠商美格納半導(dǎo)體（Magnachip）近日宣布推出用于智能手機(jī)電池保護(hù)電路的第 8 代 MXT LV MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），用于管理智能手機(jī)電池保護(hù)設(shè)計(jì)中的功耗。

美格納在其新型 12V 雙 N 溝道 MOSFET （MDWC12D024PERH） 中首次引入了其專有的超短通道 FET II （SSCFET? II） 技術(shù)。SSCFET II 是美格納的最新設(shè)計(jì)技術(shù)，可顯著縮短通道長(zhǎng)度，從而降低 RSS（on）。

與相同尺寸的上一代產(chǎn)品相比，該產(chǎn)品的RSS（on）源電阻降低了約22%。這種減少降低了功率損耗，縮短了智能手機(jī)的充電時(shí)間，并在快速充電模式下將智能手機(jī)的內(nèi)部溫度降低了約 12%。

隨著全球智能手機(jī)制造商在智能手機(jī)中增強(qiáng)AI功能，MOSFET產(chǎn)品的重要性與日俱增。新型 12V MXT LV MOSFET 具有高功率效率，并針對(duì)高端智能手機(jī)（尤其是設(shè)備上的 AI 智能手機(jī)）中的各種電池保護(hù)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

根據(jù)市場(chǎng)研究公司 Omdia 的數(shù)據(jù)，從 2024 年到 2028 年，設(shè)備上 AI 智能手機(jī)的出貨量預(yù)計(jì)將以年均 50% 的速度增長(zhǎng)，到 2028 年將達(dá)到 6.06 億部。

美格納首席執(zhí)行官 YJ Kim 表示：“繼去年年初超短通道 FET I 技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)品的成功推出之后，美格納現(xiàn)已推出升級(jí)的超短通道 FET II 技術(shù)。我們計(jì)劃在今年下半年繼續(xù)開發(fā)創(chuàng)新的高密度蜂窩溝槽技術(shù)，并推出針對(duì)智能手機(jī)、智能手表和耳機(jī)的先進(jìn)電源解決方案。”