2024 年 10 月 15 日,中國—— 意法半導(dǎo)體的 Page EEPROM兼?zhèn)銭EPROM存儲(chǔ)技術(shù)的能效和耐用性與閃存的存儲(chǔ)容量和讀寫速度，為面臨極端尺寸和功率限制的應(yīng)用場景提供了一個(gè)混合存儲(chǔ)器。

嵌入式系統(tǒng)需要支持日益復(fù)雜的先進(jìn)功能，運(yùn)行數(shù)據(jù)密集型的邊緣 AI 算法，意法半導(dǎo)體的新存儲(chǔ)器可以滿足嵌入式應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量的日益增長的需求。例如，在耳背式助聽器中，Page EEPROM可以降低物料清單成本，讓助聽器變得更纖薄，佩戴更舒適。 

除了可穿戴設(shè)備外，Page EEPROM 還是醫(yī)療設(shè)備、資產(chǎn)追蹤器、電動(dòng)自行車以及其他工業(yè)和消費(fèi)產(chǎn)品等應(yīng)用的理想選擇。意法半導(dǎo)體 EEPROM 產(chǎn)品線經(jīng)理 Philippe Ganivet 表示：“智能邊緣技術(shù)發(fā)展迅速，正在深刻改變市場對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器的容量、性能和功耗的需求。我們的新 Page EEPROM是一個(gè)非常好的超低功耗存儲(chǔ)器，是電池供電的遠(yuǎn)程物聯(lián)網(wǎng)模塊微控制器的理想搭檔。” 

BitFlip Engineering公司是新系列存儲(chǔ)器芯片的首批用戶，該公司的業(yè)主 Patrick Kusbel表示：“ST的Page EEPROM是一個(gè)真正地實(shí)現(xiàn)了兩全其美的的非易失性存儲(chǔ)器解決方案，當(dāng)我們在開發(fā)新一代旗艦系列產(chǎn)品時(shí)，包括 GPS 追蹤器、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，以及其他的所有的需要高性能、高可靠性、小尺寸和低功耗的設(shè)計(jì)，新系列存儲(chǔ)器讓我們能夠?qū)崿F(xiàn)預(yù)設(shè)的大目標(biāo)。M95P的讀取速度是我們以前用的存儲(chǔ)器的50 倍，而功耗卻只有十分之一，產(chǎn)品可靠性提高了四倍，可擦寫次數(shù)達(dá)到50萬次，而我們以前用的產(chǎn)品的耐擦寫能力只有10萬次，這是一個(gè)顛覆性的改變。” 

意法半導(dǎo)體Page EEPROM系列的容量分為8Mbit、16Mbit 和 32Mbit，大大高于標(biāo)準(zhǔn) EEPROM產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。嵌入式智能頁面管理允許進(jìn)行字節(jié)級(jí)寫操作，適合數(shù)據(jù)記錄等數(shù)據(jù)處理，同時(shí)還支持頁面/扇區(qū)/塊擦除和高達(dá) 512 字節(jié)的頁面寫操作，可以高效處理固件無線 (OTA) 更新需求。新系列存儲(chǔ)器還允許進(jìn)行緩存載入操作，同時(shí)向多個(gè)頁面寫入數(shù)據(jù)，以縮短在生產(chǎn)線上安裝軟件的時(shí)間。320 Mbit/s 的數(shù)據(jù)讀取速度大約是標(biāo)準(zhǔn) EEPROM 的16 倍，而 50萬次耐擦寫能力是傳統(tǒng)串行閃存的幾倍。 

Page EEPROM還具有新穎的峰值電流控制功能，可最大限度地降低電源噪聲，延長電池供電設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。寫入電流低于許多傳統(tǒng) EEPROM，并且還有深度斷電模式和快速喚醒功能，可將工作電流降至 1μA 以下。 

新系列產(chǎn)品的數(shù)據(jù)保存期長達(dá)100 年，并享受意法半導(dǎo)體10年產(chǎn)品壽命保障計(jì)劃，保證該系列產(chǎn)品長期供貨。 

X-NUCLEO-PGEEZ1擴(kuò)展板和 X-CUBE-EEPRMA1 軟件包現(xiàn)已上市，供用戶可學(xué)習(xí)如何與 Page EEPROM交互，如何使用該系列產(chǎn)品設(shè)計(jì)開發(fā)應(yīng)用。在軟件包中有一個(gè)展示如何測試該存儲(chǔ)器的混合架構(gòu)，快速構(gòu)建概念驗(yàn)證的演示應(yīng)用程序。 

M95P08、M95P16 和 M95P32 Page EEPROM 現(xiàn)已投產(chǎn)。X-NUCLEO-PGEEZ1現(xiàn)已在意法半導(dǎo)體網(wǎng)站eSTore上架開售。