繼10月初公布了2024年第三季初步財報后，10月31日，三星電子正式公布了完整的第三季財報。整體業(yè)績比之前的預(yù)告的略微高一些。
具體來說，三星電子第三季度實現(xiàn)銷售額79.0987萬億韓元，較上年同期的67.40萬億韓元增長17.35%，創(chuàng)下了單季最高記錄，但是仍低于市場預(yù)期約10.8%；實現(xiàn)營業(yè)利潤約9.1834萬億韓元，較上年同期2.43萬億韓元增長277.37%，但仍低于第二季的10.4萬億韓元；凈利潤為10.1009萬億韓元，同比增長72.84%，環(huán)比增長4.8%。
按照各部門的業(yè)績來看，負(fù)責(zé)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）部門該部門銷售金額為29.27萬億，低于市場預(yù)期的30.53萬億韓元，營業(yè)利潤為3.86萬億韓元，低于市場預(yù)期的6.66萬億韓元，相比第二季的6.45萬億韓元更是大跌超過40%。
三星解釋稱，這主要是因為電腦和移動終端的需求復(fù)蘇緩慢，中國生產(chǎn)DRAM數(shù)量擴(kuò)大，導(dǎo)致價格壓力大增，加上三星在高端人工智能（AI）芯片所需的高頻寬內(nèi)存HBM3e尚未拿到英偉達(dá)等大客戶的訂單，使得三星錯失了AI熱潮所帶來的獲利機(jī)遇。
相比之下，SK海力士第三季度創(chuàng)下了7萬億韓元的營業(yè)利潤，同比扭虧為盈，環(huán)比增長29%，創(chuàng)下歷史新高。凈利潤也創(chuàng)歷史新高，達(dá)到了5.7534萬億韓元。并且，SK海力士三季度的HBM營收更是暴漲了330%。
對于三季度半導(dǎo)體業(yè)績獲利不及預(yù)期，在10月初的三季度初步財報公布之后，三星的高管團(tuán)隊還罕見的發(fā)聲明致歉。
三星顯示（SDC）部門在第三季度的合并收入為 8.0 萬億韓元，營業(yè)利潤為 1.51 萬億韓元。對于移動顯示業(yè)務(wù)，SDC 在旗艦產(chǎn)品推出后，實現(xiàn)了銷售和利潤的連續(xù)改善，主要客戶的產(chǎn)品發(fā)布對其產(chǎn)生了積極影響。對于大屏顯示業(yè)務(wù)，SDC 報告稱運營利潤略有減弱，但銷售量從上一季度有所改善，這得益于電視和顯示器產(chǎn)品需求的穩(wěn)定。
移動業(yè)務(wù)（MX）和網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)的合并收入為30.52萬億韓元，低于市場預(yù)期的預(yù)估31.19萬億韓元，營業(yè)利潤為2.82萬億韓元，略高于市場預(yù)期的2.71萬億韓元。這主要是受益于新款智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備上市所帶動，盡管原材料成本因產(chǎn)品規(guī)格提升以增強(qiáng)競爭力而上漲，但盈利接近兩位數(shù)同比增長。
設(shè)備體驗（DX）部門三季度的營收為44.99萬億韓元，營業(yè)利潤為3.37萬億韓元。
展望第四季，三星電子表示，盡管移動和PC端的存儲需求可能放緩，但AI的需求增長將支撐整體需求強(qiáng)勁。基于此，三星電子宣布，在DRAM方面，計劃繼續(xù)擴(kuò)大HBM銷售，并通過加速針對DDR5的第五代10奈米DRAM（1b制程）的發(fā)展，積極因應(yīng)市場對32Gb DDR5的大容量服務(wù)器內(nèi)存的需求。在NAND Flash方面，三星電子也計劃進(jìn)一步擴(kuò)大采用第8代V-NAND的PCIe 5.0產(chǎn)品銷售，并通過大容量QLC產(chǎn)品的量產(chǎn)，鞏固市場領(lǐng)導(dǎo)地位；在系統(tǒng)半導(dǎo)體方面，System LSI計劃擴(kuò)大的Exynos 2400供應(yīng)，DDI顯示驅(qū)動芯片則是計劃重點擴(kuò)大對OLED支持；在晶圓代工業(yè)務(wù)方面，計劃通過擴(kuò)大各種應(yīng)用來提高生產(chǎn)能力，并確保2nm GAA制程技術(shù)的量產(chǎn)來確保滿足客戶的需求；三星顯示（SDC）方面，主要客戶的旗艦產(chǎn)品需求將保持穩(wěn)定，但對自身業(yè)績預(yù)期較為保守；設(shè)備體驗（DX）部門將繼續(xù)聚焦高端產(chǎn)品，但預(yù)計銷售額相比上季度略有下降。
對于2025年的計劃，三星電子表示，計劃通過采用先進(jìn)制程的產(chǎn)品、包括HBM和服務(wù)器SSD等高價值產(chǎn)品的需求，專注于構(gòu)建有利可圖的產(chǎn)品組合。DRAM方面，積極進(jìn)行HBM3E銷售量將進(jìn)一步擴(kuò)大，而HBM4則將在下半年研發(fā)并量產(chǎn)。NAND Flash方面，計劃積極擴(kuò)大高階產(chǎn)品的銷售，例如用于服務(wù)器的128GB或更大DDR5，以及用于移動、PC和服務(wù)器的LPDDR5X等這些產(chǎn)品開始向第8代V-NAND制程轉(zhuǎn)移，并積極響應(yīng)基于QLC的大容量需求。而System LSI也專注于為主要客戶的旗艦產(chǎn)品來供應(yīng)SoC，同時也專注于準(zhǔn)備下一代2nm制程技術(shù)的發(fā)展。
