編者按：2024年歲末，繼年初重組銷售與營(yíng)銷組織后，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)帶著CoolSiCTM MOSFET G2和XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊兩款碳化硅產(chǎn)品的應(yīng)用詳解做了最好的年度注腳，并交上了滿意的答卷。
作為碳化硅市場(chǎng)的先行者和頭部玩家，英飛凌自1992年已經(jīng)開始了碳化硅技術(shù)的研發(fā)，在過(guò)去的30余年中累計(jì)積累了近3萬(wàn)項(xiàng)碳化硅專利。自2001年英飛凌推出世界上第一個(gè)商用碳化硅二極管以來(lái)，伴隨著晶圓4英寸、6英寸、8英寸的升級(jí)，英飛凌始終引領(lǐng)著碳化硅生產(chǎn)工藝的創(chuàng)新，尤其是在收購(gòu)晶圓激光冷切割技術(shù)廠商Siltectra之后，晶圓的利用效率達(dá)到了空前！
碳化硅——綠色能源價(jià)值鏈的主角，
近年來(lái)，在全球經(jīng)貿(mào)摩擦不斷加劇的背景下，綠色發(fā)展、環(huán)境保護(hù)和低碳生活是全球范圍內(nèi)難得的共識(shí)領(lǐng)域，跨越國(guó)界和文化差異，成為各國(guó)共同關(guān)注和努力的方向。作為將功率半導(dǎo)體產(chǎn)品植根于整個(gè)能源產(chǎn)業(yè)全鏈條、并占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)者地位的科技企業(yè)，英飛凌是如何布局并引領(lǐng)各個(gè)行業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)呢？“英飛凌持續(xù)深耕能源全鏈條，為包括發(fā)電、輸配電、儲(chǔ)能、用電在內(nèi)的電力全價(jià)值鏈提供系統(tǒng)級(jí)的高能效產(chǎn)品和解決方案。“在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會(huì)上，英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝介紹道。英飛凌的功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、光伏、高鐵、儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域，為推動(dòng)整個(gè)社會(huì)實(shí)現(xiàn)綠色低碳轉(zhuǎn)型發(fā)揮著重要作用。目前，國(guó)內(nèi)有超過(guò) 90,000 臺(tái)風(fēng)力發(fā)電機(jī)在使用英飛凌的產(chǎn)品，這些風(fēng)機(jī)2023年的發(fā)電量可滿足4.5億人/1.5億家庭的用電需求。同時(shí)，英飛凌的產(chǎn)品應(yīng)用在總計(jì)超過(guò)220GW的光伏發(fā)電機(jī)組中，裝機(jī)容量相當(dāng)于10個(gè)三峽水電站裝機(jī)量的總和。在如火如荼的儲(chǔ)能領(lǐng)域，英飛凌的產(chǎn)品應(yīng)用在總計(jì)約15GW / 30GW的新型儲(chǔ)能系統(tǒng)中，裝機(jī)容量約等于1個(gè)白鶴灘水電站裝機(jī)量。
（英飛凌科技高級(jí)副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人于代輝）
“業(yè)界已經(jīng)達(dá)成共識(shí)，擁有高能效和高轉(zhuǎn)換效率的碳化硅是滿足可持續(xù)性能源生產(chǎn)和消費(fèi)的核心技術(shù)”。人類社會(huì)在歷經(jīng)三次工業(yè)革命后，生產(chǎn)效率實(shí)現(xiàn)了爆炸性的增長(zhǎng)，然而這一進(jìn)步的背后，卻是碳排放量的急劇上升。面對(duì)這一挑戰(zhàn)，全球各國(guó)正積極倡導(dǎo)并投身于低碳化轉(zhuǎn)型的浪潮之中。這場(chǎng)轉(zhuǎn)型不僅僅是一次環(huán)保行動(dòng)，更是一場(chǎng)深刻的電氣化革命！在以風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能等為主的新能源架構(gòu)中，雖然可再生能源的光環(huán)引入注目，但其漫長(zhǎng)的能源轉(zhuǎn)換鏈條中包含著太多非100%的能源轉(zhuǎn)換與傳輸。每一次的能源轉(zhuǎn)換過(guò)程中都會(huì)存在能效的損失。電力電子未來(lái)發(fā)展的趨勢(shì)之一是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設(shè)計(jì)，在高開關(guān)頻率高功率的應(yīng)用中碳化硅器件優(yōu)勢(shì)明顯。因此，追求更高效的能源轉(zhuǎn)換效率這一創(chuàng)新需求變得至關(guān)重要，而碳化硅技術(shù)恰恰就是這樣一種功率半導(dǎo)體的能效提升技術(shù)。
可靠性——碳化硅器件的領(lǐng)先者
深耕碳化硅領(lǐng)域30余年，依托產(chǎn)品線布局行業(yè)廣泛和功率半導(dǎo)體材料覆蓋全面兩大優(yōu)勢(shì)，英飛凌碳化硅的商業(yè)模式在全球范圍內(nèi)取得了巨大的成功。英飛凌希望能夠成為首選的零碳技術(shù)創(chuàng)新伙伴！“成功的關(guān)鍵在于要跟客戶聯(lián)合創(chuàng)新，這樣我們才可以在能效創(chuàng)新和設(shè)計(jì)創(chuàng)新上找到正確的解決方案”。英飛凌科技副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人沈璐介紹到。
（英飛凌科技副總裁、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)負(fù)責(zé)人沈璐）
“怎么把系統(tǒng)做得更小、成本更低，甚至是更加節(jié)能、高效，這恰恰就是碳化硅所在的時(shí)代的價(jià)值”，作為碳化硅器件的領(lǐng)先者，英飛凌一直站在碳化硅的技術(shù)前沿，溝槽柵的創(chuàng)新、XHP封裝的優(yōu)化、.XT互聯(lián)技術(shù)、冷切割技術(shù)、8英寸產(chǎn)線……無(wú)一不引領(lǐng)著碳化硅技術(shù)的前進(jìn)。
更先進(jìn)的技術(shù)可以給與器件更高的篩選電壓和更厚的氧化層，從而保證更高的可靠性。在光伏、儲(chǔ)能等長(zhǎng)期的戶外且高頻滿載的工作情況下，魯棒性、可靠性永遠(yuǎn)是第一位的。
CoolSiCTM溝槽柵——穿越周期的革命技術(shù)
評(píng)價(jià)器件合格的標(biāo)準(zhǔn)參考其靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能即可，但是評(píng)價(jià)一款產(chǎn)品或一項(xiàng)技術(shù)是否優(yōu)秀，就需要綜合考慮其可靠性、穩(wěn)定性以及易用性等。碳化硅的商業(yè)價(jià)值就是為了能夠?qū)崿F(xiàn)更加長(zhǎng)期、可靠的、最高效的能源轉(zhuǎn)化效率，能量損耗越低，產(chǎn)品就越棒。“技術(shù)本質(zhì)上是一種手段，其核心價(jià)值在于其展示的性能及特性。”英飛凌科技高級(jí)技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負(fù)責(zé)人陳立烽先生如此介紹到。
（英飛凌科技高級(jí)技術(shù)總監(jiān)、工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)大中華區(qū)技術(shù)負(fù)責(zé)人陳立烽）
Cool在哪里？“對(duì)于任何一個(gè)器件的發(fā)展而言，我們的目標(biāo)是非常明確的，即持續(xù)地減少工藝損耗、優(yōu)化散熱性能，從而把性能可以更好地發(fā)揮出來(lái)，保持高可靠性”。
推出CoolSiCTM MOSFETs G2近一年來(lái)，從應(yīng)用角度再次驗(yàn)證了G2在持續(xù)地減少工藝損耗、優(yōu)化散熱性能的優(yōu)異性。借助創(chuàng)新性的溝槽技術(shù)，G2達(dá)到了最高功率密度、最高導(dǎo)通電阻的同時(shí)，還實(shí)現(xiàn)了2微秒的短路保護(hù)!
溝槽柵的復(fù)雜技術(shù)帶來(lái)的成本增加隨著6英寸到8英寸的轉(zhuǎn)化過(guò)程中碳化硅的價(jià)格下浮有所抵消。溝槽柵技術(shù)的升級(jí)最直接的表現(xiàn)就是芯片面積在減小，直徑在變小，沈總說(shuō)到：“不懼周期、了解周期，善用周期、穿越周期，堅(jiān)持溝槽柵技術(shù)，堅(jiān)持對(duì)可靠性的承諾，堅(jiān)持對(duì)于供應(yīng)鏈多元化管理的上游供應(yīng)鏈選擇。”
