1月14日消息，據《臺北時報》報道，中國臺灣“經濟部長”郭振華（J.W. Kuo）近日在新聞發布會上表示，臺積電現在被允許在其位于中國臺灣以外的晶圓廠中采用其即將推出的 2nm 級制程工藝技術制造芯片。

此前，臺積電一直被禁止在中國臺灣以外使用其最新的工藝技術制造芯片，該戰略旨在讓臺積電最先進的制程工藝技術保留在中國臺灣。這些規則要求海外芯片生產至少比中國臺灣落后兩代。然而，中國臺灣政府現在已經改變了立場，允許中國臺灣企業可以根據技術進步和市場機會做出決定。

郭振華表示，“那些是古老的規則。時代變了，私營企業應該根據自己的技術進步做出自己的商業決策。基本原則是企業可以從他們的海外投資中獲利。臺積電正在美國建廠，旨在為美國客戶提供服務，因為全球 60% 的芯片設計公司都位于美國。”

根據已經公布的計劃，臺積電將在美國亞利桑那州建設三座晶圓廠，包括一期的4nm晶圓廠，量產時間是2025年上半年；二期的3nm晶圓廠，原定于2026年開始量產，推遲到了2028年。兩座晶圓廠完工后，合計將年產超過60萬片晶圓，換算至終端產品市場價值預估超過400億美元。2024年4月宣布新增的三期晶圓廠將生產2nm或更先進的制程技術，預計將在21世紀20年代底（2029～2030年）間量產。

這也使得臺積電在亞利桑那州的總體投資金額從原來的400億美元提升到650億美元，并有望創造超過25000個直接建筑和制造業就業機會，以及數千個間接就業機會。有助于實現美國到 2030 年生產 20% 全球最先進邏輯芯片的目標。對此，美國政府已宣布向臺積電提供高達66億美元的補貼資金和50億美元的低息貸款，用以支持臺積電在美國亞利桑那州晶圓廠的建設。

不過，由于之前中國臺灣政府的政策限制，臺積電2nm或更先進技術出口到美國晶圓廠還需要中國臺灣政府的批準。但是從郭振華最新的表態來看，相關的限制即將解除。這也意味著臺積電將可以在美國生產2nm或更先進的制程工藝。

根據臺積電的規劃，2025 年至 2026 年，其在中國臺灣將至少擁有能夠量產2nm芯片的晶圓廠。而臺積電美國亞利桑那州的第三座晶圓廠可能要等到2030年才能生產其2nm家族（N2、N2P、N2X）甚至是1.6nm（A16）制程工藝。