2月19日，韓國首爾中央地方法院第25刑事部（主審法官池貴淵）以違反《防止信息泄漏及保護(hù)產(chǎn)業(yè)技術(shù)相關(guān)法律》為由，對(duì)因涉嫌向中國企業(yè)泄露韓國核心半導(dǎo)體技術(shù)的三星電子前高管金某一審判處有期徒刑7年。同時(shí)被起訴的原分包商員工方先生和金先生也分別被判處2年6個(gè)月有期徒刑和1年6個(gè)月有期徒刑。

曾任三星電子部長(zhǎng)金某，被指控在 2016 年跳槽至中國新成立的半導(dǎo)體公司時(shí)，泄露了三星電子 18nm DRAM 相關(guān)的半導(dǎo)體工藝的信息，并將其用于產(chǎn)品開發(fā)；方某曾擔(dān)任三星電子旗下半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商A公司的團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人，被指控與金某等人合謀將該公司尖端技術(shù)——半導(dǎo)體沉積設(shè)備的設(shè)計(jì)技術(shù)數(shù)據(jù)竊取給該中國公司。

法院認(rèn)定檢方對(duì)于被告的大多數(shù)指控成立，稱“以金某為首的被告人竊取了受害公司的重要數(shù)據(jù)，并將其用于為一家中國公司制造芯片”、“金某泄露了三星電子的技術(shù)數(shù)據(jù)并加以利用”。

法院在解釋量刑理由時(shí)還表示，“這是妨礙相關(guān)領(lǐng)域良好競(jìng)爭(zhēng)和貿(mào)易秩序的嚴(yán)重犯罪，對(duì)韓國國家產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力造成重大負(fù)面影響。……考慮到中國競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手已經(jīng)從開發(fā)階段進(jìn)入量產(chǎn)階段，不難預(yù)測(cè)三星電子的損失將達(dá)到巨大數(shù)額。”