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三星前高管因涉嫌向中企泄露18nm DRAM工藝被判刑7年

2025-02-20
來源:芯智訊
關鍵詞: 三星 DRAM 18nm 半導體

2月19日,韓國首爾中央地方法院第25刑事部(主審法官池貴淵)以違反《防止信息泄漏及保護產業技術相關法律》為由,對因涉嫌向中國企業泄露韓國核心半導體技術的三星電子前高管金某一審判處有期徒刑7年。同時被起訴的原分包商員工方先生和金先生也分別被判處2年6個月有期徒刑和1年6個月有期徒刑。

曾任三星電子部長金某,被指控在 2016 年跳槽至中國新成立的半導體公司時,泄露了三星電子 18nm DRAM 相關的半導體工藝的信息,并將其用于產品開發;方某曾擔任三星電子旗下半導體設備供應商A公司的團隊負責人,被指控與金某等人合謀將該公司尖端技術——半導體沉積設備的設計技術數據竊取給該中國公司。

法院認定檢方對于被告的大多數指控成立,稱“以金某為首的被告人竊取了受害公司的重要數據,并將其用于為一家中國公司制造芯片”、“金某泄露了三星電子的技術數據并加以利用”。

法院在解釋量刑理由時還表示,“這是妨礙相關領域良好競爭和貿易秩序的嚴重犯罪,對韓國國家產業競爭力造成重大負面影響。……考慮到中國競爭對手已經從開發階段進入量產階段,不難預測三星電子的損失將達到巨大數額。”


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