4月16日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，為應(yīng)對(duì)美國(guó)特朗普政府即將出臺(tái)的半導(dǎo)體關(guān)稅政策，美國(guó)芯片大廠紛紛擴(kuò)大了本地化供應(yīng)鏈需求，這也迫使臺(tái)積電加快“美國(guó)制造”腳步。最新傳聞顯示，臺(tái)積電亞利桑那州第二座晶圓廠量產(chǎn)時(shí)間將提前一年，并將在美國(guó)引入最新的扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP），以迎合客戶采購(gòu)在美制造芯片，提高供應(yīng)彈性的需求。

臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露，為應(yīng)對(duì)AMD、蘋果等大客戶要求，臺(tái)積電將提前在亞利桑那州新廠生產(chǎn)3nm和2nm，臺(tái)積電原規(guī)劃2026年第四季度進(jìn)行亞利桑那州第二廠的P2A裝機(jī)計(jì)劃，但現(xiàn)在已通知供應(yīng)商提前于今年9月進(jìn)機(jī)并裝機(jī)，時(shí)程整整提前一年。

換句話說(shuō)，臺(tái)積電亞利桑那州第二廠第一期的3nm制程將于2027年底量產(chǎn)；第二廠第二期產(chǎn)線P2B，預(yù)計(jì)于2028年量產(chǎn)2nm，但仍比中國(guó)臺(tái)灣量產(chǎn)時(shí)間晚兩年多。

值得一提的是，目前臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠雖已量產(chǎn)，但是缺乏后端封測(cè)產(chǎn)能，此前計(jì)劃是與Amkor在建的美國(guó)廠合作。不過(guò)，隨著臺(tái)積電隨后宣布在美國(guó)追加1000億美元投資，其中就包括了建設(shè)兩座先進(jìn)封裝廠的規(guī)劃。

根據(jù)最新的爆料顯示，臺(tái)積電為了應(yīng)對(duì)美國(guó)客戶的旺盛的需求，計(jì)劃將亞利桑那州晶圓二廠的量產(chǎn)時(shí)間提前一年。同時(shí)臺(tái)積電還計(jì)劃將最新的扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）引入到美國(guó)封裝廠，以迎合客戶芯片完全美國(guó)制造的需求，提高供應(yīng)彈性。

據(jù)日媒披露，臺(tái)積電即將敲定該公司扇出型面板級(jí)封裝技術(shù)規(guī)格，預(yù)期第一代版本采用300mm x 300mm，比先前試做的510mm×515mm小，現(xiàn)正于桃園興建試產(chǎn)線，最快2027年開始小量試產(chǎn)。

相較傳統(tǒng)圓形晶圓，面板級(jí)封裝技術(shù)可用面積更大，臺(tái)積電為了嚴(yán)格控管質(zhì)量，決定先采用略小的基板。日媒并披露，臺(tái)積電原本評(píng)價(jià)和群創(chuàng)在內(nèi)面板廠商合作，考察面板業(yè)在處理方形或長(zhǎng)方形基板較有經(jīng)驗(yàn)。

后來(lái)臺(tái)積電決定自行開發(fā)，原因是發(fā)現(xiàn)面板產(chǎn)業(yè)在精密度和技術(shù)門坎上，仍不足以支持先進(jìn)封裝制程的需求。

據(jù)了解，面板級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)主要是將晶圓先行切割成小芯片之后，再排列到玻璃基板之上，相較過(guò)去晶圓堆晶圓（WoW）或是CoWoS、SoIC等3D先進(jìn)封裝堆疊技術(shù)，優(yōu)點(diǎn)在于玻璃基板可以強(qiáng)化散熱功能，缺點(diǎn)為生產(chǎn)效率會(huì)比現(xiàn)有的3D堆疊技術(shù)慢，業(yè)界預(yù)計(jì)未來(lái)主要使用者仍會(huì)是AI客戶。