恩智浦" title="恩智浦">恩智浦半導體（NXP Semiconductor，由飛利浦" title="飛利浦">飛利浦成立的獨立半導體公司" title="半導體公司">半導體公司）今天推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業(yè)界領先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度" title="功率密度">功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。?

恩智浦RF功率產(chǎn)品線市場部門經(jīng)理Mark Murphy表示：“隨著移動電信運營商開始提供基于HSDPA和LTE等技術的超高速服務，無線網(wǎng)絡基礎設施的功率需求也已達到空前的水平。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術，推出業(yè)界性能最高的LDMOS基站晶體管，其功率增加效率遠高于目前市場上的任何產(chǎn)品。”? ?

第七代LDMOS的性能創(chuàng)下新的紀錄，達到3.8GHz，且輸出電容減少25%，可實現(xiàn)寬頻輸出匹配，從而設計出更加簡單、性能更好的Doherty放大器。Doherty已經(jīng)成為新型基站發(fā)射器的首選放大器架構，幫助無線網(wǎng)絡運營商提高效率并降低成本。?

ABI Research射頻（RF）元件與系統(tǒng)研究總監(jiān)Lance Wilson表示：“隨著數(shù)據(jù)驅(qū)動型服務逐漸成為無線基礎設施的更重要的組成部分，一流的RF功率放大器性能就成為必需。恩智浦的第七代LDMOS技術，憑借其在功率密度和熱性能方面取得的重大進步，理當成為公司進入相關應用頂級設備市場時的重要資產(chǎn)。”?

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恩智浦的第七代LDMOS新型基站晶體管將于2008年6月15至20號在MTT-S國際微波研討會的第523號展位進行展示。BLC7G22L（S）-130的工程樣片將于2008年第三季度問世。基于恩智浦第七代LDMOS技術的其他產(chǎn)品將于2009年推出。?

有關恩智浦第七代LDMOS技術的其他信息，請參考恩智浦半導體" title="恩智浦半導體">恩智浦半導體RF功率產(chǎn)品目錄，網(wǎng)址為 http://www.rfpower.nl/cdrom。?

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