??? 眾所周知，隨著經濟的發(fā)展，能源已變得越來越緊缺，因此節(jié)能和開發(fā)高能效" title="高能效">高能效產品是當今世界的一個重要挑戰(zhàn)。飛兆半導體" title="飛兆半導體">飛兆半導體（Fairchild Semiconductor）被譽為“硅谷之父”， 擁有卓越的創(chuàng)新歷史，這個傳統(tǒng)一直延續(xù)到今天。作為先進的高能效功率產品及解決方案供應商，其“功率專家（The Power Franchise）”的頭銜早已為大家所熟知，飛兆半導體的產品也已經能夠優(yōu)化各種應用的能效，包括電源、移動設備、照明、電機、計算、消費產品和汽車等多個領域，其客戶均為像宏基(Acer)、蘋果(Apple)這樣的業(yè)界領先企業(yè)。2008年3月18日～20日在上海舉行的慕尼黑電子展上，飛兆半導體攜多款高能效解決方案精彩亮相。為此，本刊記者專程采訪了飛兆半導體公司" title="飛兆半導體公司">飛兆半導體公司企業(yè)市場總監(jiān)Claudia Innes女士。
電能緊缺的世界
??? Claudia Innes女士介紹說：“目前，美國和中國是全球最大的能源消耗國，發(fā)展中國家的不可再生能源消耗速度在加快。從2004年至2030年，全世界總能耗預計將會增長57%。”談到飛兆半導體針對這一問題的舉措時，Claudia Innes女士說：“由于溫室氣體排放和逐漸減少的資源，加劇了人們對環(huán)境的關注。政府和機構正在強制執(zhí)行條例法規(guī)，OEM廠商要求采用更高能效的解決方案，這就促使飛兆半導體更加努力地提高產品能效，以滿足多種需求。”
新器件——提高感應加熱應用的效率并增強系統(tǒng)可靠性
??? Claudia Innes女士向記者介紹了飛兆半導體新推出的Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD。 她說：“這些新器件可為電磁感應加熱應用的系統(tǒng)設計人員提供高效的解決方案。這些IGBT同時采用Field Stop(場截止)結構和抗雪崩的Trench Gate(溝道柵)技術，可在傳導損耗和開關損耗" title="開關損耗">開關損耗之間提供最佳權衡，從而獲得最高的效率。與傳統(tǒng)的NPT-Trench IGBT器件相比，F(xiàn)GA20N120FTD可減小25%的導通損耗、8%的開關損耗，并可大幅降低系統(tǒng)工作溫度。由于冷卻要求降低，系統(tǒng)可靠性得以增強，系統(tǒng)總成本減小。這些器件還內置了專為零電壓開關(ZVS)技術而優(yōu)化的快速恢復二極管(FRD)，進一步提高了可靠性。” Claudia Innes女士還強調說：“飛兆半導體的FGA20N120FTD和FGA15N120FTD一致的參數(shù)分布和已經增強的抗雪崩擊穿能力使得器件的性能一致并且降低器件的失效率。這正是利用飛兆半導體創(chuàng)新的Field Stop結構和專有的先進Trench Gate單元設計的成果。”
新模塊——協(xié)助電源滿足能源之星規(guī)范的嚴格要求
??? 飛兆半導體公司還為電源設計" title="電源設計">電源設計人員推出一款Power-SPM模塊FPP06R001，它的高效性有助于電源設計滿足下一代能源之星標準的要求，即電源在正常輸出負載條件下必須達到85% 或更高的效率。Claudia Innes女士說：“Power-SPM FPP06R001是高度集成的同步整流器模塊，可協(xié)助電源設計提高效率、增強系統(tǒng)穩(wěn)健性并節(jié)省空間。該器件在緊湊的傳遞模塑封裝中集成了2個PowerTrench?誖MOSFET和1個大電流柵極驅動器，能夠簡化電路板設計，省去多達10個分立元件，并減少板上占用空間達20%。與分立式解決方案比較，還可降低10% 的導通阻抗和16% 的雜散電感，從而減小熱耗散和電壓應力。”
??? Claudia Innes女士最后強調說：“節(jié)能和提高能效與我們的生活密不可分，與每個人息息相關。飛兆半導體會繼續(xù)專注于設計和開發(fā)高能效產品，以協(xié)助建立一個更環(huán)保的世界；我們也將繼續(xù)與各大電子產品制造商密切合作，深入了解新功率環(huán)境的功耗挑戰(zhàn)，并致力于開發(fā)創(chuàng)新技術以突破能效方面的障礙，把輝煌繼續(xù)下去。