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ST推出250A功率MOSFET晶體管STV250N55F3

2008-07-25
作者:ST

以降低電動汽車等電動設備的運營成本和環境影響為目標,電源管理應用的領先廠商ST公司推出一款250A表面貼裝" title="表面貼裝">表面貼裝的功率MOSFET晶體管,新產品擁有市場上最低的導通電阻" title="導通電阻">導通電阻,可以把功率轉換損耗降至最低,并提高系統性能。

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新產品STV250N55F3是市場上首款整合ST PowerSO-10? 封裝和引線帶楔焊鍵合技術的功率MOSFET,無裸芯片封裝的" title="封裝的">封裝的電阻率極低。新產品采用ST的高密度STripFET III 制程,典型導通電阻僅為1.5毫歐。STripFET III更多優點包括:開關損耗低,抗雪崩性能強。除提高散熱效率外,九線源極連接配置還有助于降低電阻。在25℃時,封裝的額定功率為300W。

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新產品的高額定電流讓工程師可以設計多個并聯的MOSFET,達到節省電路板空間和材料成本" title="材料成本">材料成本的目的。標準驅動閾壓還有助于簡化驅動電路的設計。STV250N55F3適用于高達55V的電力設備。

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高達175℃的工作溫度使STV250N55F3適用于強電流電力牽引設備,如叉車、高爾夫球用車和電動托盤裝卸車以及割草機、電動輪椅和電動自行車。新產品在晶圓和成品階段都經過100%的雪崩測試,為可靠性和抗擊穿性提供了有力的保障。新產品將很快達到汽車級產品質量標準。

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在同一個產品系列,ST還有一款型號為55V STV200N55F3的產品,該產品的額定漏極連續電流為200A,源極連線配置為4線。

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STV250N55F3樣片即刻上市銷售,預計2008年第三季度" title="第三季度">第三季度開始量產。

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(bxd)

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