?? TDK公司日前宣布開發出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI,該產品計劃于九月份開始銷售。
?
???GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC,與2K字節/頁和4K字節/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元(SLC)和多級單元(MLC)NAND閃存,實現了從128M字節到1G" title="1G">1G字節(SLC)和256M字節到32G字節(MLC)的高速閃存存儲容量,因而該控制器適用的應用領域非常廣泛。此外,該控制器具有128針TQPF封裝方式" title="封裝方式">封裝方式和121針VFBGA封裝方式。
??? 該控制器實現了高速控制、采用15位糾錯碼(ECC)、GBDriver系列共有的自動恢復功能以及斷電時的并行錯誤預防功能,這些設計提高了NAND閃存的數據可靠性。
??? 此外,GBDriver RA8系列采用了一種新式獨創的靜態耗損均衡算法(static wear leveling algorithm),使每個存儲塊" title="存儲塊">存儲塊的重寫次數更加平均,這樣就最大程度地延長了NAND閃存的擦寫壽命。閃存管理功能包括改進的設定每個存儲塊擦寫次數的“智能功能”(SMART),并對量化評估、管理及NAND存儲系統進行了簡化。
??? TDK將于2008年10月發售配備了新型GBDriver RA8控制器的工業小型閃存卡和固態驅動器(SDD) 。
主要用途
?? 主要用于民用、工業用嵌入式系統" title="嵌入式系統">嵌入式系統設備及IT設備,例如:數碼相機、便攜攝像機、數字電視、機頂盒(STB)、多功能打印機、車載導航系統、便攜式導航設備(PND)、車載音響、電子收費(ETC)終端、銷售點(POS)終端、金融業務終端與ATM機、醫療設備、測量儀器、機械工具、工廠自動面板計算機及觸摸屏系統。
主要特性
1. 主機接口:
GBDriver RA8與PIO0-6、Multiword DMA 0-4及Ultra DMA0-6兼容,支持高達50MB/秒的讀訪問速度和35MB/秒的寫訪問速度(采用MLC時為15MB/秒)。(實際速度取決于安裝的閃存)
2. 支持的閃存:
GBDriver RA8控制器支持所有廠商最新的2K字節/頁和4K字節/頁結構的NAND閃存及其最新產品。由于這些產品都與SLC和MLC NAND閃存兼容,該控制器實現了從128M字節到16G字節(SLC)和256M字節到32G字節(MLC)的存儲容量。
3. 適用于所有存儲塊的靜態耗損均衡功能:
新的靜態耗損均衡算法使每個存儲塊的擦寫次數更加平均。可將靜態耗損均衡設為任意范圍,超出靜態耗損均衡的區域按動態耗損均衡管理。
4. 改進的斷電耐受性:
在寫數據時如發生斷電,獨創的算法可全面預防并行錯誤,不讓錯亂的數據寫入。
5. 糾錯和恢復:
閃存鑒別功能采用8位/段ECC或15位/段ECC來提供糾錯能力,為適應未來的發展預留了空間。自動恢復功能包括在重復讀取數據時自動糾正位錯誤(讀干擾錯誤)。
6. 其他功能:
(a) 總簇數量設置功能
可調高或調低分配給數據區的邏輯塊數量。例如,可通過減少數據區邏輯塊的數量來提高可寫入數據的次數。反之,如果應用不要求長壽命,可通過增加數據區邏輯塊的數量來加大存儲容量。
?
(b) 保護功能
采用ATA標準保護功能" title="保護功能">保護功能,使用戶能夠設置和取消密碼以保護重要數據。
?
(c) “智能命令”支持
可通過“智能命令”設定所有內存塊的擦寫次數,便于確定閃存狀態和相關管理。
7. 解決方案支持
TDK自2000年開始自主研發和銷售GBDriver系列NAND閃存控制器,依托其先進技術為日本和國外客戶提供技術支持,包括派遣現場應用工程師和實施可靠性監控工作,嵌入式系統市場對此有強烈需求。
生產銷售計劃
生產地點:日本
生產能力:100,000單元/月(預計)
樣品出貨:2008年9月