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NEC電子推出用于接收衛(wèi)星數字廣播的化合物晶體管

實現(xiàn)業(yè)界最高水平的低噪音?高增益性能
2007-09-07
作者:NEC電子

NEC電子日前完成了用于建立汽車音響及導航系統(tǒng)等衛(wèi)星數字廣播" title="數字廣播">數字廣播接收系統(tǒng)的化合物晶體管產品—“NE3510M04”的開發(fā),并將于即日起開始發(fā)售樣品。

新產品主要用于可接收衛(wèi)星廣播的低噪音" title="低噪音">低噪音放大器(LNA: Low Noise Amplifier),使用該產品可對從2GHz到8GHz頻帶的低噪音進行放大。?

新產品與NEC電子現(xiàn)有產品相比,將放大信號時的噪音降低了0.1 dB,將放大部分的電平提高了1.5dB,有利于降低特性偏差。用戶使用新產品,可以提高汽車音響、便攜式音樂播放器等接收信號的靈敏度,從而擴大接收信號的范圍,實現(xiàn)接收設備的小型化、低成本化。?

新產品的樣品價格為30日元/個,批量生產將從2007年9月開始,初期的生產規(guī)模為10萬個/月,預計到2008年生產規(guī)模將達到100萬個/月。?

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衛(wèi)星數字廣播服務始于2001年,它與傳統(tǒng)的AM/FM廣播相比,具有因接收狀況的變化而產生的噪音較少、易實現(xiàn)高音質及多頻道化等眾多優(yōu)勢。自2001年,XM Satellite Radio與SIRIUS Satellite Radio相繼在北美推出衛(wèi)星數字音頻廣播服務(SDARS: Satellite Digital Audio Radio Service)以來,衛(wèi)星數字廣播逐步普及起來。近幾年,隨著越來越多的便攜式音樂播放機中集成了衛(wèi)星數字廣播的接收功能,使用衛(wèi)星數字廣播的用戶飛速增長。截止2007年6月,使用衛(wèi)星數字廣播的用戶人數已超過150萬人,今后仍將呈現(xiàn)出高增長趨勢。?

受此趨勢的推動,在集成了SDARS接收功能的整機市場上,對早日開發(fā)出能兼顧接收系統(tǒng)的低成本及高性能的半導體產品的需求越來越強烈。?

1990年NEC電子推出了以砷化鎵" title="砷化鎵">砷化鎵(GaAs)為材料的“異質結場效應晶體管" title="場效應晶體管">場效應晶體管(HJ-FET)”(注1),該產品使用了NEC電子獨有的工藝技術,其低噪音性能遠遠優(yōu)于普通晶體管。自此以來,NEC電子就將該領域定位為化合物半導體業(yè)務中的重點產品領域之一,并展開了積極的推廣活動。NEC電子在衛(wèi)星廣播接收用產品中,特別是在衛(wèi)星電視廣播領域,擁有全球70%的市場份額,在該行業(yè)處于絕對領先的地位。?

NEC電子此次推出的新產品是專門針對衛(wèi)星廣播領域開發(fā)的產品,因此非常重視低噪音特性。?

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新產品的主要特征如下。?

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(1)低噪音特性及高增益性能均為業(yè)界最高水平?

通過優(yōu)化外延層" title="外延層">外延層(Epitaxial layer)(注2)結構,使放大信號時的噪音與現(xiàn)有產品相比降低了0.1dB,使放大部分的電平提高了1.5dB,因此可同時實現(xiàn)業(yè)界最高水平的低噪音特性及高增益性能。?

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(2)可支持較寬的頻率?

可接收從2GHz到8GHz的寬頻帶范圍的信號,并進行放大。?

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(3)使用NEC電子獨有的異質結場效應晶體管(HJFET)技術?

在此次的產品中,使用了NEC電子獨有的用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應層將砷化鎵銦(InGaAs)溝道層夾在中間的結構。此次,NEC電子不僅通過使用獨有的電極形成技術,實現(xiàn)超低噪音的異質結場效應晶體管(HJ-FET),還通過改善外延層的結構及芯片生產條件,降低芯片生產過程中所產生的特性偏差。?

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NEC電子此次推出的新產品有助于用戶開發(fā)出更高性能、低成本的產品。此外,NEC電子還可以為用戶提供用于衛(wèi)星廣播接收設備的異質結場效應晶體管(HJ-FET)產品、硅鍺(SiGe)晶體管等其他材料的晶體管及各種IC產品等高頻產品,今后,NEC電子還會為用戶提供將這些器件組合在一起的整體解決方案。?

新產品的規(guī)格請參照附件。?

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(注1)異質結場效應晶體管(Hetero Junction - Field Effect Transistor:HJ-FET)?

利用了帶隙(Band gap)不同的半導體結合的場效應晶體管的總稱。在此次的產品中,NEC電子采用了用n型砷化鎵鋁(AlGaAs)電子供應層將銦砷化鎵(InGaAs)溝道層夾在中間的結構,此結構為NEC電子獨有的結構。該結構電子濃度和移動度較高,可實現(xiàn)損耗較低的開關IC。?

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(注2)外延層(Epitaxial layer)?

在單結晶襯底上,根據襯底的結晶構造,生成單結晶膜的結晶膜。?

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