實(shí)驗(yàn)?zāi)康模和黄?KB的Steppingstone存儲(chǔ)空間限制，讀取NandFlash中4KB后的代碼實(shí)現(xiàn)“點(diǎn)燈大法”，借此掌握NandFlash的操作。

　　實(shí)驗(yàn)環(huán)境及說明：恒頤S3C2410開發(fā)板H2410。H2410核心板的NandFlash選用的是三星片上(SOP)K9F1208U0M，該NandFlash容量為64MB。

　　實(shí)驗(yàn)思路：開發(fā)板上電啟動(dòng)后，自動(dòng)將NandFlash開始的4K數(shù)據(jù)復(fù)制到SRAM中，然后跳轉(zhuǎn)到0地址開始執(zhí)行。然后初始化存儲(chǔ)控制器SDRAM，調(diào)用NandFlash讀函數(shù)操作把4KB后的點(diǎn)燈代碼復(fù)制到SDRAM中，跳到點(diǎn)燈代碼的入口點(diǎn)實(shí)現(xiàn)點(diǎn)燈操作。

　　知識(shí)掌握：NandFlash內(nèi)部結(jié)構(gòu)、命令字及存儲(chǔ)控制器

　　一、NandFlash內(nèi)部結(jié)構(gòu)

　　不同開發(fā)板使用的NandFlash的型號(hào)可能不一樣，本文只是以K9F1208U0M為例做個(gè)簡(jiǎn)單介紹。引腳描述如下所示：

　　NandFlash存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖如下所示：

　　Device、Block和Page之間的關(guān)系---1 Device = 4,096 Blocks = 4096*32 Pages = 128K Pages；1 Block = 32 Page；1 Page = 528 Byte = 512 Byte + 16 Byte。其中1 Page中包含有數(shù)據(jù)寄存器512 Byte和16 Byte的備用位用于ECC校驗(yàn)存儲(chǔ)。所以有528 columns * 128K rows(Pages)。1 Page中的512 Byte的數(shù)據(jù)寄存器又分為兩個(gè)部分1st 256 Bytes和 2nd 256 Bytes。用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的單元有 512 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 64 MB，用于ECC校驗(yàn)單元有16 Bytes * 32 Pages * 4096 Blocks = 2MB 。

　　二、NandFlash命令字

　　操作NandFlash時(shí)，先傳輸命令，然后傳輸?shù)刂罚詈筮M(jìn)行數(shù)據(jù)的讀/寫。K9F1208U0M的命令字如下所示：

　　由于尋址需要26bit的地址，該26bit地址通過四個(gè)周期發(fā)送到NandFlash，如下圖所示：