1.表面轉(zhuǎn)移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)

　　按IEC61196-1測試同軸電纜的方法，測試帶屏蔽的平衡電纜，短路8根芯線后用50Ω信號源激勵。被測試線長1米，測試頻率30MHz，頻率越高，線長越短導體表面轉(zhuǎn)移阻抗。主要用于評估連接硬件的屏蔽效率，其實測值不超過以下計算值。

　　ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3

　　ZTcable：表面轉(zhuǎn)移阻抗，單位mΩ/m

　　f：信號頻率，單位MHz

　　2.轉(zhuǎn)移阻抗(TransferImpedance)

　　轉(zhuǎn)移阻抗與屏蔽電纜和連接硬件的屏蔽效率相關，其數(shù)值可通過實驗室高頻密封箱測量屏蔽插入損耗，計算得出。

　　Ri1=Ri2=50Ω——網(wǎng)絡分析儀特性阻抗

　　R1=50Ω——饋電電阻

　　R2=50Ω——終端電阻

　　U1=信號發(fā)射電壓(V)

　　U2=信號接收電壓(V)

　　Uc=被測設備兩端電壓

　　Zcond=連接器特性阻抗(Ω)

　　Zt=轉(zhuǎn)移阻抗(Ω)

　　Zt=1/l電纜長度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l電纜長度•U2/U1

　　由于屏蔽插入損耗(αs)為20•lg(U2/U1)dB，轉(zhuǎn)移阻抗(Zt)也可以表示為：

　　Zt=100•10α/20(Ω)

　　3.耦合衰減(CouplingAttenuation)

　　耦合衰減用于描述電纜系統(tǒng)的電磁兼容性能。耦合衰減Catt=Pr/Pi(Pr：線纜接收功率;Pi：在內(nèi)導體上產(chǎn)生的噪聲功率)

　　將電纜近似看作電磁場中的全向天線，其接收到的電磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ：信號波長，PD：電磁場功率密度)

　　內(nèi)部內(nèi)部導體產(chǎn)生噪聲功率Pi=內(nèi)部導體產(chǎn)生噪聲功率Vi2/Z(Vi：內(nèi)導體上的噪聲電壓;Z內(nèi)導體阻抗，50Ω)

　　4屏蔽系數(shù)(GB54419-1985)

　　按下圖裝置，測試電纜金屬護套及鎧裝層的理想屏蔽系數(shù)γ0s=VC/VS(線芯上的感應電壓mV;電纜式樣金屬套上的縱向干擾電壓mV)。

　　5屏蔽耦合損耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)

　　GTEM小室饋入功率與被測件耦合功率的分貝差。與10.9.3耦合衰減(CouplingAttenuation)意義相同。

　　6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)

　　采用GTEM小室測量無屏蔽電纜與屏蔽電纜的屏蔽耦合損耗的分貝差。